| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第11-14页 |
| 缩略语对照表 | 第14-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-21页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第17-19页 |
| 1.2 研究历史与现状 | 第19-20页 |
| 1.3 本文主要内容和工作安排 | 第20-21页 |
| 第二章 自适应波束形成技术 | 第21-47页 |
| 2.1 自适应阵列处理的数学模型 | 第21-24页 |
| 2.1.1 阵列信号模型 | 第21-23页 |
| 2.1.2 阵列方向图 | 第23-24页 |
| 2.2 波束形成技术 | 第24-40页 |
| 2.2.1 确知波束形成 | 第24-28页 |
| 2.2.2 普通波束形成 | 第28-31页 |
| 2.2.3 统计最优波束形成 | 第31-37页 |
| 2.2.4 自适应波束形成算法 | 第37-40页 |
| 2.3 自适应波束形成器 | 第40-45页 |
| 2.3.1 最小方差无失真响应（MVDR）波束形成器 | 第40-41页 |
| 2.3.2 线性约束最小方差（LCMV）波束形成器 | 第41-43页 |
| 2.3.3 自适应旁瓣相消器（ASLC） | 第43-45页 |
| 2.4 小结 | 第45-47页 |
| 第三章 稳健的自适应抗干扰技术 | 第47-73页 |
| 3.1 影响旁瓣相消性能的因素 | 第47-50页 |
| 3.1.1 主要因素 | 第47-48页 |
| 3.1.2 自由度的计算 | 第48-49页 |
| 3.1.3 实验仿真 | 第49-50页 |
| 3.2 基于分段的自适应抗干扰技术 | 第50-58页 |
| 3.2.1 基本原理 | 第50-51页 |
| 3.2.2 归一化处理 | 第51-55页 |
| 3.2.3 实验仿真 | 第55-57页 |
| 3.2.4 实测数据处理 | 第57-58页 |
| 3.3 基于加延时节的自适应旁瓣相消技术 | 第58-64页 |
| 3.3.1 基本原理 | 第58-59页 |
| 3.3.2 延时节个数的选择 | 第59-61页 |
| 3.3.3 实测数据处理 | 第61-64页 |
| 3.4 基于和差波束法的稳健抗主瓣干扰算法 | 第64-71页 |
| 3.4.1 和差波束法 | 第64-66页 |
| 3.4.2 实验仿真 | 第66-71页 |
| 3.5 小结 | 第71-73页 |
| 第四章 总结与展望 | 第73-75页 |
| 4.1 论文工作总结 | 第73-74页 |
| 4.2 工作展望 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-79页 |
| 致谢 | 第79-81页 |
| 作者简介 | 第81-82页 |