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基于Ⅳ族二维结构材料的设计及量子性质调控

摘要第6-8页
abstract第8-9页
第一章 绪论第10-16页
    1.1 引言第10-11页
    1.2 研究现状第11-13页
    1.3 研究内容第13-16页
第二章 理论基础第16-26页
    2.1 基态密度泛函理论方法第16-20页
        2.1.1 Thomas-Fermi模型第16-18页
        2.1.2 Hohenberg-Kohn定理第18页
        2.1.3 Kohn-Sham方程第18-20页
    2.2 近似密度泛函第20-21页
        2.2.1 局域密度近似(Local Density Approximation)第20-21页
        2.2.2 广义梯度近似(Generalized Gradient Approximation)第21页
    2.3 平面波基组和赝势第21-22页
    2.4 Z_2拓扑不变量的计算第22-26页
第三章 硅烯在Sc_2CF_2衬底上生长的电子特性研究第26-36页
    3.1 硅烯/Sc_2CF_2异质结的本征性质第26-32页
    3.2 平面应力与层间距对异质结性质的影响第32-34页
    3.3 硅烯/Sc_2CF_2异质结的费米速度与有效质量的研究第34-35页
    3.4 本章小结第35-36页
第四章 甲基修饰锡烯的量子性质调控第36-46页
    4.1 甲基吸附锡烯的本征性质的研究第36-38页
    4.2 双轴应力诱导的拓扑态过渡的研究第38-44页
    4.3 本章小结第44-46页
第五章 功能化修饰的铅烯量子性质的调控第46-56页
    5.1 氢以及卤素原子修饰的铅烯本征拓扑性质的研究第46-53页
    5.2 双轴应力对PbX薄膜拓扑性质的调控第53-55页
    5.3 本章小结第55-56页
第六章 氰基修饰的铅烯量子性质的调控第56-64页
    6.1 氰基官能团修饰的铅烯的本征拓扑性质的研究第56-61页
    6.2 不同的化学基团与施加双轴应力对拓扑性质的影响第61-63页
    6.3 本章小结第63-64页
第七章 结论与展望第64-66页
参考文献第66-72页
致谢第72-74页
附录第74页

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