| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-21页 |
| ·CVD 的原理与应用 | 第10-12页 |
| ·CVD 发展现状 | 第12-19页 |
| ·高密度等离子体（HDP）CVD | 第12-13页 |
| ·ECR 等离子体CVD | 第13页 |
| ·高频感应耦合等离子体（ICP）CVD | 第13页 |
| ·螺旋波PCVD | 第13-14页 |
| ·27.12MHZ 至数百兆赫高频等离子体CVD（UHF、VHF PECVD） | 第14页 |
| ·光CVD（photo CVD） | 第14-15页 |
| ·光化学气相沉积 | 第15页 |
| ·激光化学气相沉积 | 第15-16页 |
| ·有机金属CVD（MOCVD） | 第16-17页 |
| ·金属CVD | 第17-18页 |
| ·半球形晶粒多晶Si-CVD(HSG-CVD) | 第18页 |
| ·铁电体的CVD | 第18页 |
| ·低介电常数薄膜的CVD | 第18-19页 |
| ·课题来源和主要工作 | 第19-20页 |
| ·论文组织结构 | 第20-21页 |
| 第二章 CVD 工艺原理与技术研究 | 第21-39页 |
| ·热CVD 的工艺原理简介 | 第21-25页 |
| ·热CVD 法沉积膜层的原理 | 第21页 |
| ·热CVD 主要的生成反应 | 第21-22页 |
| ·热CVD 的特征 | 第22-24页 |
| ·热CVD 装置 | 第24页 |
| ·反应器 | 第24-25页 |
| ·常压CVD | 第25-27页 |
| ·减压CVD(LPCVD) | 第27-28页 |
| ·等离子体增强化学气相沉积CVD（PECVD） | 第28-31页 |
| ·PECVD 原理 | 第28-30页 |
| ·PECVD 特征 | 第30-31页 |
| ·淀积温度的控制与选择 | 第31-33页 |
| ·射频功率与射频频率的选择 | 第33-34页 |
| ·腔室压力、气体流量比(SiH4/NH3)的研究 | 第34-39页 |
| 第三章 PECVD 工艺技术的仿真研究 | 第39-50页 |
| ·仿真软件简介 | 第39页 |
| ·氮化硅薄膜应力的介绍 | 第39-40页 |
| ·氮化硅薄膜应力的仿真 | 第40-46页 |
| ·无缓冲层氮化硅极限厚度仿真及对应生长样品 | 第40-43页 |
| ·采用缓冲层氮化硅极限厚度仿真及对应生长样品 | 第43-46页 |
| ·氮化硅薄膜应力的检测 | 第46-50页 |
| ·XP-1 型台阶仪的检测原理 | 第46-47页 |
| ·XP-1 型台阶仪的检测结果 | 第47-50页 |
| 第四章 PECVD 工艺技术的实施 | 第50-66页 |
| ·工艺设备简介 | 第50-51页 |
| ·操作方法 | 第51-62页 |
| ·开机前检查 | 第51页 |
| ·开机 | 第51页 |
| ·运行 | 第51-55页 |
| ·刻石墨舟 | 第55-56页 |
| ·关机 | 第56-57页 |
| ·安全注意事项 | 第57页 |
| ·样片、陪片及炉管清洗作业标准 | 第57页 |
| ·特殊情况操作说明 | 第57-58页 |
| ·PECVD 程序恢复处理规程 | 第58-62页 |
| ·氮化硅薄膜的检测 | 第62-63页 |
| ·氮化硅薄膜的等离子体刻蚀 | 第63-64页 |
| ·承片石墨舟的清洗 | 第64-66页 |
| 第五章 PECVD 工艺技术的应用 | 第66-70页 |
| 第六章 结论 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-74页 |