摘要 | 第5-6页 |
Abstract | 第6页 |
第1章 绪论 | 第10-23页 |
1.1 引言 | 第10页 |
1.2 等离子喷涂原理及应用 | 第10-12页 |
1.2.1 等离子喷涂技术概述 | 第10-11页 |
1.2.2 等离子喷涂技术基本原理和优缺点 | 第11-12页 |
1.2.3 等离子喷涂技术发展 | 第12页 |
1.3 碳材料的特点及应用 | 第12-15页 |
1.3.1 石墨材料的特点及应用 | 第12-14页 |
1.3.2 C/C复合材料的特点及应用 | 第14-15页 |
1.4 碳材料的抗氧化方法 | 第15-19页 |
1.4.1 基体改性技术 | 第16-17页 |
1.4.2 涂层技术 | 第17-19页 |
1.5 碳材料抗氧化涂层的制备 | 第19-22页 |
1.5.1 高温抗氧化涂层基本要求 | 第19-20页 |
1.5.2 高温抗氧化复合涂层体系 | 第20-21页 |
1.5.3 碳材料抗氧化研究进展 | 第21-22页 |
1.6 本课题的研究内容与意义 | 第22-23页 |
第2章 实验材料及实验方法 | 第23-39页 |
2.1 实验材料准备 | 第23-28页 |
2.1.1 基体材料的选择与基体预处理 | 第23页 |
2.1.2 Si粉末的选择与制备 | 第23-24页 |
2.1.3 Si-4%Al粉末的选择与制备 | 第24-25页 |
2.1.4 YSZ粉末的选择与制备 | 第25页 |
2.1.5 SiO_2粉末的选择与制备 | 第25-26页 |
2.1.6 (SiO_2+5%Al_2O_3)粉末的选择与制备 | 第26-28页 |
2.2 实验设备 | 第28页 |
2.3 涂层的设计 | 第28-30页 |
2.3.1 石墨为基体涂层的设计 | 第28-29页 |
2.3.2 C/C复合材料为基体涂层的设计 | 第29-30页 |
2.4 涂层的制备 | 第30-34页 |
2.4.1 热处理条件的选择 | 第30-31页 |
2.4.2 石墨基体SiC-Si涂层的制备 | 第31-32页 |
2.4.3 石墨基体SiC-(Si-4%Al)涂层的制备 | 第32页 |
2.4.4 C/C-SiC-Si与C/C-Si涂层的制备 | 第32页 |
2.4.5 C/C-Si-YSZ涂层的制备 | 第32-33页 |
2.4.6 C/C-Si-SiO_2涂层体系的制备 | 第33页 |
2.4.7 C/C-Si-(SiO_2+5%Al_2O_3)-YSZ涂层的制备 | 第33-34页 |
2.6 涂层的表征 | 第34-35页 |
2.6.1 金相显微组织观察 | 第34页 |
2.6.2 X射线衍射分析 | 第34页 |
2.6.3 扫描电镜及能谱检测 | 第34-35页 |
2.7 涂层性能检测 | 第35-39页 |
2.7.1 涂层显微维氏硬度 | 第35-36页 |
2.7.2 涂层断裂韧性 | 第36-37页 |
2.7.3 晶粒大小变化分析 | 第37页 |
2.7.4 耐烧蚀测试 | 第37-39页 |
第3章 石墨基体大气等离子喷涂Si和Si-4%Al涂层实验结果与分析 | 第39-62页 |
3.1 石墨基体大气等离子喷涂制备SiC-Si涂层实验结果与分析 | 第39-52页 |
3.1.1 金相显微组织观察 | 第39-44页 |
3.1.2 扫描电镜及能谱检测 | 第44-46页 |
3.1.3 过渡层XRD分析结果 | 第46-47页 |
3.1.4 过渡层生长过程分析 | 第47-48页 |
3.1.5 Si涂层显微硬度分析 | 第48-49页 |
3.1.6 Si晶粒大小变化 | 第49-50页 |
3.1.7 Si涂层断裂韧性 | 第50-52页 |
3.2 石墨基体大气等离子喷涂制备SiC-(Si-4%Al)涂层实验结果与分析 | 第52-59页 |
3.2.1 金相显微组织观察 | 第52-56页 |
3.2.2 扫描电镜及能谱检测 | 第56-57页 |
3.2.3 Si-4%Al涂层显微硬度分析 | 第57-58页 |
3.2.4 Si-4%Al涂层断裂韧性 | 第58-59页 |
3.3 Si与Si-4%Al涂层显微硬度及断裂韧性对比分析 | 第59-60页 |
3.4 本章小结 | 第60-62页 |
第4章 C/C复合材料大气等离子喷涂复合涂层耐烧蚀性能 | 第62-70页 |
4.1 C/C-SiC/Si金相显微组织观察 | 第62-63页 |
4.2 C/C-Si-YSZ涂层耐烧蚀性能 | 第63-65页 |
4.3 C/C-Si-(SiO_2+5%Al_2O_3)-YSZ涂层耐烧蚀性能 | 第65-68页 |
4.4 本章小结 | 第68-70页 |
结论 | 第70-71页 |
参考文献 | 第71-75页 |
致谢 | 第75页 |