摘要 | 第5-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
第1章 绪论 | 第11-21页 |
1.1 引言 | 第11-12页 |
1.2 管状工件内表面真空镀膜方法的研究现状 | 第12-16页 |
1.2.1 物理气相沉积(PVD)方法 | 第12-14页 |
1.2.2 化学气相沉积(CVD)方法 | 第14-16页 |
1.2.3 现有镀膜方法存在的问题 | 第16页 |
1.3 等离子体粒子模拟 | 第16-18页 |
1.3.1 等离子体基本特征 | 第16-17页 |
1.3.2 等离子体的数值模拟方法 | 第17-18页 |
1.3.3 等离子体粒子模拟方法的基本思路 | 第18页 |
1.4 等离子体发射光谱诊断 | 第18-19页 |
1.4.1 等离子体诊断方法的分类 | 第19页 |
1.4.2 等离子体发射光谱诊断的步骤和优缺点 | 第19页 |
1.5 本文研究的内容和目标 | 第19-21页 |
第2章 管状工件内表面磁控溅射镀膜方法及镀膜设备的研制 | 第21-29页 |
2.1 对于不同管径的工件内表面的磁控溅射镀膜方法 | 第21-23页 |
2.1.1 同轴圆柱靶(柱状平面靶)磁控溅射镀膜方法 | 第21-22页 |
2.1.2 偏心圆柱靶磁控溅射镀膜方法 | 第22页 |
2.1.3 磁场辅助直流溅射镀膜方法 | 第22-23页 |
2.2 磁场辅助直流溅射镀膜系统的设计 | 第23-28页 |
2.2.1 镀膜系统的构成 | 第24-25页 |
2.2.2 镀膜室的设计与制造 | 第25-26页 |
2.2.3 镀膜系统的其他组成部分 | 第26-28页 |
2.3 设备运行结果 | 第28页 |
2.4 本章小结 | 第28-29页 |
第3章 溅射区域内电磁场分布及电子的运动轨迹模拟与计算 | 第29-41页 |
3.1 溅射区域内磁场分布 | 第29-37页 |
3.1.1 有限长通电螺线管即励磁线圈内磁场分布计算 | 第29-30页 |
3.1.2 溅射区域内磁场模拟 | 第30-32页 |
3.1.3 溅射区域内磁场测量 | 第32-34页 |
3.1.4 励磁线圈磁路设计 | 第34-37页 |
3.2 溅射区域内电场分布 | 第37-38页 |
3.3 电子在电磁场内的运动 | 第38-39页 |
3.4 本章小结 | 第39-41页 |
第4章 溅射区域内等离子体粒子模拟方法 | 第41-53页 |
4.1 等离子体的PIC-MCC模拟方法 | 第41-42页 |
4.2 等离子体粒子模拟 | 第42-45页 |
4.2.1 等离子体粒子模拟软件XOOPIC简介 | 第42-43页 |
4.2.2 XOOPIC软件的计算内核 | 第43-44页 |
4.2.3 具体模拟参数的设定 | 第44-45页 |
4.3 模拟结果 | 第45-52页 |
4.3.1 磁场对放电特性的影响 | 第45-50页 |
4.3.2 阴极电势对放电特性的影响 | 第50-51页 |
4.3.3 工作压力对放电特性的影响 | 第51-52页 |
4.4 本章小结 | 第52-53页 |
第5章 磁场辅助直流溅射沉积Cu薄膜实验研究 | 第53-63页 |
5.1 镀膜实验基本思路 | 第53页 |
5.2 放电参数的范围 | 第53-57页 |
5.2.1 基本放电情况 | 第54-55页 |
5.2.2 磁感应强度B对着火电压的影响 | 第55-56页 |
5.2.3 磁感应强度B对伏安(U-I)特性曲线的影响 | 第56-57页 |
5.2.4 工作压力P对放电电压U的影响 | 第57页 |
5.3 最佳工作参数 | 第57-61页 |
5.3.1 电流密度对Cu谱线的强度影响 | 第57-58页 |
5.3.2 放电电压对Cu谱线强度的影响 | 第58-60页 |
5.3.3 镀膜系统的最佳工作参数 | 第60-61页 |
5.4 本章小结 | 第61-63页 |
第6章 待镀管状工件最小内径的计算 | 第63-67页 |
6.1 磁感应强度的影响 | 第63-64页 |
6.2 磁控辉光放电中各特征长度的影响 | 第64-66页 |
6.3 离子能量的影响 | 第66页 |
6.4 最小管内径的确定 | 第66页 |
6.5 本章小结 | 第66-67页 |
第7章 结论与展望 | 第67-69页 |
参考文献 | 第69-75页 |
致谢 | 第75-77页 |
攻读学位期间发表的论文及专利 | 第77页 |