| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-14页 |
| 1.1 光载无线通信技术研究背景 | 第10-11页 |
| 1.2 应用于天线前端的微波光子学技术研究进展及其研究意义 | 第11-12页 |
| 1.3 本论文的研究内容与结构安排 | 第12-14页 |
| 第二章 应用于天线前端的微波光子学技术 | 第14-28页 |
| 2.1 光控波束形成网络 | 第14-17页 |
| 2.1.1 相控阵天线原理 | 第14-16页 |
| 2.1.2 真延时技术改善相控阵天线带宽性能 | 第16-17页 |
| 2.2 基于光真延时的波束成形模块的结构与原理 | 第17-27页 |
| 2.2.1 均匀Bragg光纤光栅结构 | 第18页 |
| 2.2.2 基于均匀布拉格光纤光栅的光真延时 | 第18-19页 |
| 2.2.3 真时延的理论分析与模块设计 | 第19-22页 |
| 2.2.4 FBG的参数设计 | 第22-27页 |
| 2.3 本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 方向回溯天线阵 | 第28-40页 |
| 3.1 方向回溯天线理论 | 第28-32页 |
| 3.1.1 方向回溯天线的发展历史及研究现状 | 第29页 |
| 3.1.2 方向回溯理论 | 第29-32页 |
| 3.2 方向回溯天线的设计与实现 | 第32-39页 |
| 3.2.1 基于外插混频的相位共轭阵 | 第33-35页 |
| 3.2.2 外差混频方案的射频泄露问题 | 第35-39页 |
| 3.3 本章小结 | 第39-40页 |
| 第四章 光学相位共轭的实现 | 第40-49页 |
| 4.1 半导体光放大器 | 第40-42页 |
| 4.1.1 半导体光放大器理论 | 第40-41页 |
| 4.1.2 半导体光放大器的分类 | 第41-42页 |
| 4.2 半导体光放大器的非线性效应 | 第42-48页 |
| 4.2.1 半导体光放大器非线性效应的理论分析 | 第42-44页 |
| 4.2.2 四波混频的效率分析 | 第44-48页 |
| 4.3 本章小结 | 第48-49页 |
| 第五章 基于四波混频的方向回溯天线 | 第49-57页 |
| 5.1 光学方法的微波相位共轭实现 | 第49-52页 |
| 5.1.1 光学相位共轭 | 第50页 |
| 5.1.2 基于四波混频效应SOA相位共轭光的产生 | 第50-51页 |
| 5.1.3 微波信号的相位共轭处理 | 第51-52页 |
| 5.2 参数设计 | 第52-55页 |
| 5.2.1 注入电流参数的选取 | 第53页 |
| 5.2.2 入射光功率参数的选取 | 第53-54页 |
| 5.2.3 波长失谐参数的选取 | 第54-55页 |
| 5.3 OptiSystem仿真 | 第55-56页 |
| 5.4 本章小结 | 第56-57页 |
| 第六章 总结与展望 | 第57-58页 |
| 6.1 本文工作总结 | 第57页 |
| 6.2 未来前景展望 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第62页 |