| 中文摘要 | 第4-8页 |
| 英文摘要 | 第8-10页 |
| 主要符号对照表 | 第11-19页 |
| 第一章 绪论 | 第19-75页 |
| 1.1 引言 | 第19-21页 |
| 1.2 过渡金属硫族化合物的基本特性 | 第21-32页 |
| 1.2.1 过渡金属硫族化合物二维极限下间接带隙到直接带隙的转变 | 第22-25页 |
| 1.2.2 基于过渡金属硫族化合物的光电子器件 | 第25-30页 |
| 1.2.3 新型二维材料的谷自由度和谷电子学 | 第30-32页 |
| 1.3 黑磷及其合金的基本性质 | 第32-42页 |
| 1.3.1 黑磷优异的物理性质 | 第35-40页 |
| 1.3.2 黑磷光电探测器 | 第40-42页 |
| 1.4 范德瓦尔斯异质结 | 第42-50页 |
| 1.4.1 范德瓦尔斯异质结的构建 | 第42-45页 |
| 1.4.2 新型二维材料范德瓦尔斯异质结的器件应用 | 第45-47页 |
| 1.4.3 二维材料异质结的光电探测器 | 第47-50页 |
| 1.5 二维材料的生长 | 第50-51页 |
| 1.6 本文主要内容 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-75页 |
| 第二章 光电探测器的性能指标和物理机制 | 第75-91页 |
| 2.1 光电探测器的性能指标 | 第75-80页 |
| 2.1.1 光探测器的一些主要特性和参数 | 第75-79页 |
| 2.1.2 光探测器的噪声 | 第79-80页 |
| 2.2 光电响应的机理 | 第80-84页 |
| 2.2.1 光导效应 | 第81-82页 |
| 2.2.2 光伏效应 | 第82-83页 |
| 2.2.3 光热电效应 | 第83页 |
| 2.2.4 光辐射热效应 | 第83-84页 |
| 2.3 光电探测器的制作 | 第84-87页 |
| 2.3.1 二维TMDs范德瓦尔斯异质结的制备 | 第85-86页 |
| 2.3.2 二维TMDs器件的制备 | 第86-87页 |
| 2.4 光电探测器性能和低温电学表征 | 第87-89页 |
| 参考文献 | 第89-91页 |
| 第三章 p-g-n异质结光电探测器 | 第91-113页 |
| 3.1 薄层二维材料graphene、MoS_2、WSe_2的基本光电性质 | 第91-96页 |
| 3.1.1 原子层厚度p-n结 | 第92-93页 |
| 3.1.2 WSe_2-graphene-MoS_2异质结材料准备和表征 | 第93-95页 |
| 3.1.3 WSe_2-graphene-MoS_2异质结器件制作 | 第95-96页 |
| 3.2 WSe_2-graphene-MoS_2异质结器件电学和光电测试 | 第96-107页 |
| 3.2.1 WSe_2-graphene-MoS_2异质结器件电学测试 | 第96-97页 |
| 3.2.2 WSe_2-graphene-MoS_2异质结器件光电响应测试 | 第97-100页 |
| 3.2.3 WSe_2-graphene-MoS_2异质结器件时间响应 | 第100-101页 |
| 3.2.4 WSe_2-graphene-MoS_2异质结器件频率响应 | 第101-103页 |
| 3.2.5 WSe_2-graphene-MoS_2异质结器件宽波段光电响应 | 第103-105页 |
| 3.2.6 WSe_2-graphene-MoS_2异质结器件的噪声测试 | 第105-106页 |
| 3.2.7 WSe_2-graphene-MoS_2异质结器件的光电流空间成像测试 | 第106-107页 |
| 3.3 二维材料p-g-n异质结器件光电流成像 | 第107-109页 |
| 3.4 本章小结 | 第109页 |
| 参考文献 | 第109-113页 |
| 第四章 黑砷磷合金及其异质结光电探测 | 第113-137页 |
| 4.1 砷磷合金及其异质结光电探测器件制作 | 第113-116页 |
| 4.1.1 黑砷磷合金及其异质结光电探测器的制作 | 第113-114页 |
| 4.1.2 黑砷磷合金及其异质结材料表征 | 第114-116页 |
| 4.2 黑砷磷合金及其异质结光电探测器性能表征 | 第116-133页 |
| 4.2.1 黑砷磷场效应及其异质结器件光电响应测试 | 第116-133页 |
| 4.3 本章小结 | 第133-134页 |
| 参考文献 | 第134-137页 |
| 第五章 新型低维材料生长及其异质结光电探测研究 | 第137-159页 |
| 5.1 新型低维材料的生长及表征 | 第137-144页 |
| 5.1.1 新型低维材料的生长 | 第138-141页 |
| 5.1.2 Ta掺杂WSe_2纳米线的合成与表征 | 第141-144页 |
| 5.2 Ta掺杂WSe_2二维材料及其异质结光电探测性能的研究 | 第144-151页 |
| 5.2.1 新型二维材料Ta掺杂WSe_2的表征 | 第144-146页 |
| 5.2.2 Ta掺杂WSe_2的FET性质 | 第146-148页 |
| 5.2.3 Ta_(0.01)W_(0.99)Se_2的异质结的光电响应 | 第148-150页 |
| 5.2.4 基于Ta掺杂WSe_2的同质结的光电响应 | 第150-151页 |
| 5.3 其他新型二维材料异质结光电探测器研究 | 第151-155页 |
| 5.3.1 ReS_2-BN异质结光电探测器的研究 | 第151-153页 |
| 5.3.2 WSe_2-graphene异质结光电探测器的研究 | 第153-154页 |
| 5.3.3 可调节的光电响应的WSe_2-graphene异质结光电探测器 | 第154-155页 |
| 5.4 本章小结 | 第155页 |
| 参考文献 | 第155-159页 |
| 第六章 总结与展望 | 第159-161页 |
| 6.1 总结 | 第159-160页 |
| 6.2 展望 | 第160-161页 |
| 攻读博士学位期间发表和待发表的学术论文 | 第161-163页 |
| 致谢 | 第163-165页 |
