| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-22页 |
| 1.1 太阳电池的发展及研究现状 | 第9-12页 |
| 1.2 单晶娃太阳电池技术 | 第12-20页 |
| 1.2.1 晶体硅太阳电池的工作原理及结构 | 第12-15页 |
| 1.2.2 非平衡载流子的产生与复合 | 第15-18页 |
| 1.2.3 硅太阳电池钝化技术 | 第18-20页 |
| 1.3 本文的研究内容及意义 | 第20-22页 |
| 2 钝化薄膜的制备技术及测试手段 | 第22-34页 |
| 2.1 钝化薄膜的制备技术 | 第22-25页 |
| 2.2 AlO_x钝化膜的性能表征手段 | 第25-34页 |
| 2.2.1 扫描电子显微镜 | 第25-26页 |
| 2.2.2 EDS | 第26页 |
| 2.2.3 反射率 | 第26-27页 |
| 2.2.4 少数载流子寿命的测量 | 第27-31页 |
| 2.2.5 电容电压(C-V) | 第31-34页 |
| 3 衬底的沉积温度对单晶硅表面钝化效果的影响 | 第34-41页 |
| 3.1 AlO_x薄膜的钝化机理 | 第34页 |
| 3.2 AlO_x薄膜的制备 | 第34-37页 |
| 3.3 不同衬底的沉积温度对c-Si表面钝化效果的特性分析 | 第37-40页 |
| 3.3.1 能谱分析 | 第37页 |
| 3.3.2 少数载流子寿命的测量 | 第37-38页 |
| 3.3.3 电容-电压测试 | 第38-40页 |
| 3.4 本章小结 | 第40-41页 |
| 4 薄膜厚度对单晶硅表面钝化效果的影响 | 第41-49页 |
| 4.1 AlO_x钝化膜的制备 | 第41页 |
| 4.2 薄膜厚度对单晶硅表明钝化效果的结构和光电特性分析 | 第41-47页 |
| 4.2.1 FESEM | 第41-43页 |
| 4.2.2 反射率的测试 | 第43-44页 |
| 4.2.3 少数载流子有效寿命的测试 | 第44-45页 |
| 4.2.4 电容-电压的测试 | 第45-47页 |
| 4.3 本章小结 | 第47-49页 |
| 结论 | 第49-55页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |