摘要 | 第3-5页 |
Abstract | 第5-7页 |
第1章 绪论 | 第11-27页 |
1.1 日盲紫外探测器简介 | 第11-12页 |
1.2 Ga_2O_3薄膜基本性质 | 第12页 |
1.3 紫外探测器的主要性能参数 | 第12-13页 |
1.4 紫外探测器的主要类型 | 第13-15页 |
1.5 Ga_2O_3日盲紫外探测器国内外研究现状 | 第15-25页 |
1.6 Ga_2O_3日盲紫外探测器存在的主要问题 | 第25-26页 |
1.7 论文的选题依据和研究内容 | 第26-27页 |
第2章 样品的制备技术和表征手段 | 第27-36页 |
2.1 薄膜样品的制备技术 | 第27-28页 |
2.1.1 磁控溅射镀膜系统 | 第27-28页 |
2.1.2 退火工艺 | 第28页 |
2.2 Ga_2O_(3-x)薄膜的表征手段 | 第28-31页 |
2.2.1 紫外-可见透射光谱 (UV-VIS) | 第28-29页 |
2.2.2 X射线衍射仪 (XRD) | 第29页 |
2.2.3 表面轮廓扫描仪 (台阶仪) | 第29-30页 |
2.2.4 扫描电子显微镜 (SEM) | 第30页 |
2.2.5 原子力显微镜 (AFM) | 第30-31页 |
2.2.6 X射线光电子能谱 (XPS) | 第31页 |
2.3 Ga_2O_3薄膜日盲紫外探测器的制备和性能测试 | 第31-36页 |
2.3.1 真空热蒸发沉积系统 | 第31-32页 |
2.3.2 Ga_2O_3薄膜探测器的光刻工艺 | 第32-34页 |
2.3.3 Ga_2O_3薄膜紫外探测器性能测试系统 | 第34-36页 |
第3章 工作压强对Ga_2O_(3-x)薄膜日盲紫外探测器性能的影响 | 第36-51页 |
3.1 Ga_2O_(3-x)薄膜的制备工艺参数 | 第36页 |
3.2 工作压强对Ga_2O_(3-x)薄膜紫外探测器性能的影响 | 第36-39页 |
3.3 工作压强对Ga_2O_(3-x)薄膜性能的影响 | 第39-48页 |
3.3.1 Ga_2O_(3-x)薄膜厚度的测试 | 第40-41页 |
3.3.2 Ga_2O_(3-x)薄膜表面形貌表征 | 第41-44页 |
3.3.3 Ga_2O_(3-x)薄膜微观结构表征 | 第44页 |
3.3.4 Ga_2O_(3-x)薄膜EDS测试分析 | 第44-45页 |
3.3.5 Ga_2O_(3-x)薄膜XPS测试分析 | 第45-47页 |
3.3.6 Ga_2O_(3-x)薄膜光学性质分析 | 第47-48页 |
3.4 工作压强对器件性能影响的机理分析 | 第48-50页 |
3.5 本章小结 | 第50-51页 |
第4章 空气退火对Ga_2O_(3-x)薄膜紫外探测器性能的影响 | 第51-61页 |
4.1 Ga_2O_(3-x)薄膜的制备和空气退火工艺参数 | 第51-52页 |
4.2 空气退火后Ga_2O_(3-x)薄膜紫外探测器的性能 | 第52-53页 |
4.3 空气退火后Ga_2O_(3-x)薄膜的性能 | 第53-58页 |
4.3.1 Ga_2O_(3-x)薄膜表面形貌表征 | 第54-56页 |
4.3.2 Ga_2O_(3-x)薄膜微观结构表征 | 第56-57页 |
4.3.3 Ga_2O_(3-x)薄膜光学性质分析 | 第57-58页 |
4.4 空气退火对器件性能影响的机理分析 | 第58-59页 |
4.5 本章小结 | 第59-61页 |
第5章 氩气退火对Ga_2O_(3-x)薄膜紫外探测器性能的影响 | 第61-70页 |
5.1 Ga_2O_(3-x)薄膜的制备和氩气退火工艺参数 | 第61页 |
5.2 氩气退火后Ga_2O_(3-x)薄膜紫外探测器的性能 | 第61-64页 |
5.3 氩气退火后Ga_2O_(3-x)薄膜的性能 | 第64-69页 |
5.3.1 Ga_2O_(3-x)薄膜表面形貌表征 | 第64-66页 |
5.3.2 Ga_2O_(3-x)薄膜微观结构表征 | 第66-68页 |
5.3.3 Ga_2O_(3-x)薄膜光学性质分析 | 第68-69页 |
5.4 氩气退火对器件性能影响的机理分析 | 第69页 |
5.5 本章小结 | 第69-70页 |
第6章 结论与展望 | 第70-72页 |
6.1 全文总结 | 第70-71页 |
6.2 展望 | 第71-72页 |
参考文献 | 第72-78页 |
致谢 | 第78-79页 |
攻读硕士学位期间的研究成果 | 第79页 |