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Ga2O3-x薄膜日盲紫外探测器的制备和特性研究

摘要第3-5页
Abstract第5-7页
第1章 绪论第11-27页
    1.1 日盲紫外探测器简介第11-12页
    1.2 Ga_2O_3薄膜基本性质第12页
    1.3 紫外探测器的主要性能参数第12-13页
    1.4 紫外探测器的主要类型第13-15页
    1.5 Ga_2O_3日盲紫外探测器国内外研究现状第15-25页
    1.6 Ga_2O_3日盲紫外探测器存在的主要问题第25-26页
    1.7 论文的选题依据和研究内容第26-27页
第2章 样品的制备技术和表征手段第27-36页
    2.1 薄膜样品的制备技术第27-28页
        2.1.1 磁控溅射镀膜系统第27-28页
        2.1.2 退火工艺第28页
    2.2 Ga_2O_(3-x)薄膜的表征手段第28-31页
        2.2.1 紫外-可见透射光谱 (UV-VIS)第28-29页
        2.2.2 X射线衍射仪 (XRD)第29页
        2.2.3 表面轮廓扫描仪 (台阶仪)第29-30页
        2.2.4 扫描电子显微镜 (SEM)第30页
        2.2.5 原子力显微镜 (AFM)第30-31页
        2.2.6 X射线光电子能谱 (XPS)第31页
    2.3 Ga_2O_3薄膜日盲紫外探测器的制备和性能测试第31-36页
        2.3.1 真空热蒸发沉积系统第31-32页
        2.3.2 Ga_2O_3薄膜探测器的光刻工艺第32-34页
        2.3.3 Ga_2O_3薄膜紫外探测器性能测试系统第34-36页
第3章 工作压强对Ga_2O_(3-x)薄膜日盲紫外探测器性能的影响第36-51页
    3.1 Ga_2O_(3-x)薄膜的制备工艺参数第36页
    3.2 工作压强对Ga_2O_(3-x)薄膜紫外探测器性能的影响第36-39页
    3.3 工作压强对Ga_2O_(3-x)薄膜性能的影响第39-48页
        3.3.1 Ga_2O_(3-x)薄膜厚度的测试第40-41页
        3.3.2 Ga_2O_(3-x)薄膜表面形貌表征第41-44页
        3.3.3 Ga_2O_(3-x)薄膜微观结构表征第44页
        3.3.4 Ga_2O_(3-x)薄膜EDS测试分析第44-45页
        3.3.5 Ga_2O_(3-x)薄膜XPS测试分析第45-47页
        3.3.6 Ga_2O_(3-x)薄膜光学性质分析第47-48页
    3.4 工作压强对器件性能影响的机理分析第48-50页
    3.5 本章小结第50-51页
第4章 空气退火对Ga_2O_(3-x)薄膜紫外探测器性能的影响第51-61页
    4.1 Ga_2O_(3-x)薄膜的制备和空气退火工艺参数第51-52页
    4.2 空气退火后Ga_2O_(3-x)薄膜紫外探测器的性能第52-53页
    4.3 空气退火后Ga_2O_(3-x)薄膜的性能第53-58页
        4.3.1 Ga_2O_(3-x)薄膜表面形貌表征第54-56页
        4.3.2 Ga_2O_(3-x)薄膜微观结构表征第56-57页
        4.3.3 Ga_2O_(3-x)薄膜光学性质分析第57-58页
    4.4 空气退火对器件性能影响的机理分析第58-59页
    4.5 本章小结第59-61页
第5章 氩气退火对Ga_2O_(3-x)薄膜紫外探测器性能的影响第61-70页
    5.1 Ga_2O_(3-x)薄膜的制备和氩气退火工艺参数第61页
    5.2 氩气退火后Ga_2O_(3-x)薄膜紫外探测器的性能第61-64页
    5.3 氩气退火后Ga_2O_(3-x)薄膜的性能第64-69页
        5.3.1 Ga_2O_(3-x)薄膜表面形貌表征第64-66页
        5.3.2 Ga_2O_(3-x)薄膜微观结构表征第66-68页
        5.3.3 Ga_2O_(3-x)薄膜光学性质分析第68-69页
    5.4 氩气退火对器件性能影响的机理分析第69页
    5.5 本章小结第69-70页
第6章 结论与展望第70-72页
    6.1 全文总结第70-71页
    6.2 展望第71-72页
参考文献第72-78页
致谢第78-79页
攻读硕士学位期间的研究成果第79页

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