| 中文摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 随机阻变存储器基本结构和工作原理 | 第9-10页 |
| 1.3 随机阻变存储器性能参数 | 第10-11页 |
| 1.3.1 运行电压 | 第10-11页 |
| 1.3.2 运行速度 | 第11页 |
| 1.3.3 开关比 | 第11页 |
| 1.3.4 寿命 | 第11页 |
| 1.3.5 保持时间 | 第11页 |
| 1.4 随机阻变存储器机制分类 | 第11-12页 |
| 1.5 介电层 | 第12页 |
| 1.6 介电层的研究进展 | 第12-13页 |
| 1.7 导电原子力显微镜在该领域的应用 | 第13页 |
| 1.8 本论文的主要内容及研究意义 | 第13-14页 |
| 参考文献 | 第14-17页 |
| 第二章 原子力显微镜环境舱的制备及在RRAM中的应用 | 第17-26页 |
| 2.1 引言 | 第17页 |
| 2.2 实验仪器及材料试剂 | 第17-18页 |
| 2.3 环境舱的原理及制备方法 | 第18-19页 |
| 2.4 环境舱性能研究 | 第19-24页 |
| 2.5 原子力显微镜环境舱在随机阻变存储器中的应用 | 第24页 |
| 2.6 本章小结 | 第24页 |
| 参考文献 | 第24-26页 |
| 第三章 基于二维介电层随机阻变存储器的制备及表征 | 第26-50页 |
| 3.1 引言 | 第26-28页 |
| 3.2 实验仪器与材料 | 第28-29页 |
| 3.3 H_FO_2/P_T/S_IO_2结构的制备 | 第29页 |
| 3.4 随机阻变存储器的制备 | 第29-30页 |
| 3.4.1 50nm Au/10nm Ti/BN/Cu器件的制备 | 第29页 |
| 3.4.2 50nm Au/BN/Cu以及 50nm Pt/BN/Cu器件的制备 | 第29-30页 |
| 3.5 二维氮化硼在随机阻变存储器中的性质研究 | 第30-45页 |
| 3.5.1 氮化硼的电学可靠性研究 | 第30-38页 |
| 3.5.2 氮化硼的击穿 | 第38-41页 |
| 3.5.3 氮化硼随机阻变存储器 | 第41-45页 |
| 3.6 本章小结 | 第45页 |
| 参考文献 | 第45-50页 |
| 第四章 MOS结构在原子力显微镜中的电流 | 第50-70页 |
| 4.1 引言 | 第50-51页 |
| 4.2 实验仪器与材料试剂 | 第51-52页 |
| 4.3 镍/二氧化硅/硅MOS结构的制备 | 第52-53页 |
| 4.3.1 大尺寸镍/二氧化硅/硅MOS结构的制备 | 第52-53页 |
| 4.3.2 小尺寸镍/二氧化硅/硅MOS结构的制备 | 第53页 |
| 4.4 铱/氧化钛/氧化硅/硅MOS结构的制备 | 第53页 |
| 4.5 原子力显微镜测试电流产生原因 | 第53-67页 |
| 4.6 结论 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-70页 |
| 第五章 全文总结与展望 | 第70-72页 |
| 5.1 全文总结 | 第70页 |
| 5.2 研究展望 | 第70-72页 |
| 攻读学位期间本人出版或公开发表的论著、论文 | 第72-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |
