| 中文摘要 | 第6-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第9-29页 |
| 1.1 蓝光发光二极管 | 第9-11页 |
| 1.2 效率衰退效应 | 第11-12页 |
| 1.3 InGaN量子阱发光原理 | 第12-14页 |
| 1.4 效率衰退效应的原因 | 第14-23页 |
| 1.4.1 俄歇效应 | 第15-18页 |
| 1.4.2 载流子泄漏 | 第18-23页 |
| 参考文献 | 第23-29页 |
| 第二章 实验技术 | 第29-38页 |
| 2.1 纳米柱InGaN量子阱 | 第29-31页 |
| 2.2 纳米棒微纳加工 | 第31-34页 |
| 2.3 光谱分析技术 | 第34-36页 |
| 2.3.1 时间积分光致发光 | 第34页 |
| 2.3.2 时间分辨光致发光-TCSPC | 第34-36页 |
| 2.4 光路设计 | 第36-37页 |
| 参考文献 | 第37-38页 |
| 第三章 载流子横向迁移效应引起的效率衰退效应 | 第38-53页 |
| 3.1 InGaN量子阱中的载流子 | 第38-40页 |
| 3.2 载流子浓度响应的缺陷态复合发光 | 第40-42页 |
| 3.3 载流子浓度改变引起的光谱变化 | 第42-45页 |
| 3.4 激发光子能量改变引起的光谱变化 | 第45-47页 |
| 3.5 热效应引起的载流子迁移 | 第47-49页 |
| 3.6 本章小结 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-53页 |
| 第四章 纳米棒方案限制载流子横向迁移 | 第53-72页 |
| 4.1 量子阱结构对载流子横向迁移效应的限制 | 第54-56页 |
| 4.2 载流子迁移限制对效率衰退现象的抑制 | 第56-62页 |
| 4.2.1 被抑制的效率衰退现象 | 第56-59页 |
| 4.2.2 纳米柱样品和量子阱样品时间积分荧光光谱 | 第59-60页 |
| 4.2.3 纳米柱样品和量子阱样品时间分辨荧光光谱 | 第60-62页 |
| 4.3 纳米柱表面缺陷对荧光效率的影响 | 第62-66页 |
| 4.4 本章小结 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-72页 |
| 第五章 总结与展望 | 第72-73页 |
| 已发表论文 | 第73-74页 |
| 致谢 | 第74-76页 |