| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-14页 |
| ·引言 | 第9-11页 |
| ·Ta_2O_5高k薄膜的研究进展 | 第11-13页 |
| ·本文研究内容 | 第13-14页 |
| 2 Ta_2O_5高k薄膜的生长和表征方法 | 第14-33页 |
| ·薄膜的制备技术 | 第14-17页 |
| ·磁控溅射的原理介绍 | 第14-15页 |
| ·磁控溅射仪设备简述 | 第15-17页 |
| ·Ta_2O_5高k薄膜的制备过程 | 第17-19页 |
| ·试片预处理 | 第17-18页 |
| ·薄膜制备过程 | 第18页 |
| ·退火 | 第18-19页 |
| ·薄膜物性表征 | 第19-22页 |
| ·薄膜厚度的测量 | 第19-20页 |
| ·X射线衍射谱(XRD) | 第20页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第20-21页 |
| ·傅里叶变换红外光谱(FTIR) | 第21页 |
| ·光致发光谱(PL) | 第21-22页 |
| ·MOS结构的C-V特性 | 第22-30页 |
| ·MOS结构的I-V特性 | 第30-33页 |
| 3 Ta_2O_5高k薄膜的实验结果及讨论 | 第33-51页 |
| ·实验方案设计 | 第33-34页 |
| ·样品的物性测量结果分析 | 第34-40页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM)分析 | 第34-35页 |
| ·不同退火温度下Ta_2O_5光致发光谱分析 | 第35-36页 |
| ·不同氧氩比对Ta_2O_5薄膜沉积速率的影响 | 第36-37页 |
| ·X射线衍射(XRD)结果分析 | 第37-39页 |
| ·傅里叶红外吸收谱(FTIR)结果分析 | 第39-40页 |
| ·不同频率和不同退火温度下C-V和I-V特性结果及分析 | 第40-47页 |
| ·不同氧氩比MOS结构的C-V和I-V特性结果及漏电流机制 | 第47-51页 |
| 4 总结和未来前景展望 | 第51-52页 |
| ·总结 | 第51页 |
| ·未来研究方向展望 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-59页 |
| 攻读学位期间取得的研究成果 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-62页 |