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拓扑量子系统中近藤效应的研究

摘要第4-6页
ABSTRACT第6-7页
第一章 引言:近藤效应与拓扑量子系统第11-23页
    第一节 近藤效应简述第11-15页
    第二节 拓扑量子系统简述:从量子霍尔效应到拓扑态物质第15-22页
    参考文献第22-23页
第二章 杂质模型及其微扰理论第23-38页
    第一节 非磁性杂质模型及T矩阵第23-27页
    第二节 无相互作用安德森模型第27-29页
    第三节 从相互作用安德森模型到s-d交换模型第29-32页
    第四节 近藤问题的微扰解第32-37页
    参考文献第37-38页
第三章 近藤问题:非微扰理论第38-69页
    第一节 Abrikosov的高阶微扰理论第38-39页
    第二节 两种非微扰尝试第39-41页
    第三节 标度理论第41-47页
    第四节 基于Abrikosov赝费米子的重整化群方法第47-52页
    第五节 非微扰数值重整化群理论第52-61页
    第六节 Bethe ansatz严格解第61-68页
    参考文献第68-69页
第四章 强耦合区的费米液体有效理论及其应用第69-94页
    第一节 强耦合区的有效哈密顿量第69-73页
    第二节 强耦合区的朗道费米液体描述第73-80页
    第三节 贵金属表面态上二聚体的近藤效应第80-86页
    第四节 贵金属表面态上量子围栏的近藤效应第86-92页
    参考文献第92-94页
第五章 拓扑量子系统中的近藤效应第94-117页
    第一节 拓扑近藤绝缘体第94-101页
        1.1 近藤绝缘体及早期研究第94-97页
        1.2 拓扑近藤绝缘体和相关模型第97-100页
        1.3 近期实验进展第100-101页
    第二节 表面近藤单态的失效第101-105页
    第三节 拓扑绝缘体与半金属中的近藤效应第105-113页
        3.1 拓扑绝缘体中的近藤效应第105-109页
        3.2 拓扑半金属中的近藤效应第109-113页
    参考文献第113-117页
第六章 近藤单态引起的混合拓扑绝缘态第117-137页
    第一节 平方节点体系的失稳与拓扑相第117-120页
    第二节 研究背景第120-121页
    第三节 Kondo-Quadratic band crossing point模型第121-123页
    第四节 耦合常数的重整化群流第123-127页
    第五节 磁化率的重整化群流第127-130页
    第六节 平均场理论以及混合型拓扑绝缘体第130-132页
    第七节 剩余相互作用通道第132-135页
    参考文献第135-137页
第七章 “类近藤”问题与基于自旋子的Majorana费米子第137-161页
    第一节 研究背景第137-140页
    第二节 模型哈密顿量第140-145页
    第三节 拓扑邻近效应第145-155页
        3.1 微扰重整化分析第145-149页
        3.2 平均场理论第149-152页
        3.3 重整化后的量子自旋液体有效哈密顿第152-155页
    第四节 基于自旋子的Majorana费米子与其自旋输运第155-159页
    参考文献第159-161页
第八章 拓扑超导态中的近藤问题第161-176页
    第一节 研究背景第161-162页
    第二节 超导性的拓扑绝缘体表面态中的安德森杂质模型第162-164页
    第三节 退耦合费米子场第164-169页
    第四节 一维链模型的映射第169-171页
    第五节 数值重整化群解第171-175页
    参考文献第175-176页
第九章 总结与展望第176-178页
博士期间完成的论文第178-180页
致谢第180-182页

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