| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-14页 |
| 第一章 引言 | 第14-32页 |
| ·研究背景 | 第14-22页 |
| ·纳米半导体材料 | 第14-15页 |
| ·半导体量子点及应用 | 第15-16页 |
| ·In As/Ga As量子点制备的研究现状 | 第16-22页 |
| ·论文的研究意义与研究内容 | 第22-26页 |
| ·研究意义 | 第22页 |
| ·研究方案 | 第22-24页 |
| ·解决的问题及研究内容 | 第24-26页 |
| 参考文献 | 第26-32页 |
| 第二章 分子束外延技术自组织生长In As/Ga As(001)量子点 | 第32-50页 |
| ·分子束外延技术及设备 | 第32-36页 |
| ·分子束外延技术简介 | 第32-33页 |
| ·分子束外延设备简介 | 第33-36页 |
| ·分子束外延技术自组织生长In As/Ga As(001)量子点 | 第36-43页 |
| ·In As/Ga As(001)量子点的生长 | 第36-38页 |
| ·生长条件对In As/Ga As(001)量子点形貌的影响 | 第38-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 参考文献 | 第44-50页 |
| 第三章 单光束紫外纳秒脉冲激光原位辐照对In As/Ga As(001)量子点生长的影响 | 第50-70页 |
| ·光致电激发诱导的原子脱附 | 第50-52页 |
| ·实验光路的设计与搭建 | 第52-56页 |
| ·单光束紫外纳秒脉冲激光原位辐照对In As/Ga As(001)量子点生长的影响 | 第56-64页 |
| ·单光束原位辐照实验 | 第56页 |
| ·紫外纳秒脉冲激光辐照对浸润层形貌的影响 | 第56-60页 |
| ·紫外纳秒脉冲激光原位辐照对量子点生长的影响 | 第60-64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-70页 |
| 第四章 激光多光束干涉图样及光刻 | 第70-92页 |
| ·激光干涉光刻技术简介 | 第70-71页 |
| ·激光多光束干涉图样 | 第71-79页 |
| ·激光多光束干涉的原理 | 第71-73页 |
| ·激光多光束干涉图样的影响因素 | 第73-79页 |
| ·脉冲激光多光束干涉烧蚀 | 第79-85页 |
| ·激光多光束干涉烧蚀实验 | 第80-81页 |
| ·实验结果及分析 | 第81-85页 |
| ·本章小结 | 第85-87页 |
| 参考文献 | 第87-92页 |
| 第五章 紫外纳秒脉冲激光干涉原位辐照调控生长空间有序In As/Ga As(001)量子点 | 第92-114页 |
| ·引言 | 第92-93页 |
| ·脉冲激光四光束干涉原位辐照实验 | 第93-94页 |
| ·脉冲激光干涉原位辐照对样品表面In Ga As互混层形貌的影响 | 第94-103页 |
| ·激光束截面的能量分布 | 第94-95页 |
| ·实验结果 | 第95-98页 |
| ·讨论与分析 | 第98-103页 |
| ·紫外纳秒脉冲激光干涉原位辐照调控生长空间有序In As/Ga As (001)量子点 | 第103-109页 |
| ·实验结果 | 第103-105页 |
| ·讨论与分析 | 第105-109页 |
| ·本章小结 | 第109-110页 |
| 参考文献 | 第110-114页 |
| 第六章 总结与展望 | 第114-117页 |
| ·研究总结 | 第114-116页 |
| ·创新点 | 第116页 |
| ·工作展望 | 第116-117页 |
| 科研成果 | 第117-118页 |
| 致谢 | 第118-119页 |
