| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 1 绪论 | 第10-17页 |
| ·研究背景 | 第10-12页 |
| ·研究现状 | 第12-13页 |
| ·Cu_2O 的基本性质和制备方法 | 第13-15页 |
| ·Cu_2O 的基本性质 | 第13-14页 |
| ·Cu_2O 的制备方法 | 第14-15页 |
| ·课题主要研究内容及创新点 | 第15-17页 |
| ·主要研究内容 | 第15-16页 |
| ·论文主要创新点 | 第16-17页 |
| 2 薄膜的制备与表征 | 第17-25页 |
| ·实验设备 | 第17-18页 |
| ·PLD 基本原理 | 第17页 |
| ·PLD 系统介绍 | 第17-18页 |
| ·薄膜的制备过程 | 第18-20页 |
| ·样品表征 | 第20-25页 |
| ·X 射线光电子能谱(XPS)表征 | 第20页 |
| ·反射式高能电子衍射(RHEED)表征 | 第20-24页 |
| ·表面形貌的表征 | 第24页 |
| ·紫外-可见-近红外光谱分析 | 第24页 |
| ·X 射线衍射（XRD）分析 | 第24-25页 |
| 3 MgO(100)基片上 Cu_2O 薄膜的生长 | 第25-50页 |
| ·MgO(100)基片的处理 | 第25-27页 |
| ·Cu_2O 薄膜表面颗粒的控制 | 第27-29页 |
| ·MgO(100)基片上生长 Cu_2O 薄膜的表征 | 第29-46页 |
| ·原位 X 射线光电子能谱(In situ XPS)分析 | 第29-34页 |
| ·原位高能反射式电子衍射(In situ RHEED)分析 | 第34-37页 |
| ·X 射线衍射 (XRD)分析 | 第37-42页 |
| ·原子力显微镜(AFM)和透射电镜(TEM)分析 | 第42-44页 |
| ·紫外可见吸收光谱 | 第44-46页 |
| ·MgO(100)基片上双畴 Cu_2O(110)薄膜的形成机制 | 第46-48页 |
| ·本章小结 | 第48-50页 |
| 4 MgO(110)基片上 Cu_2O 薄膜的生长 | 第50-64页 |
| ·MgO(110)基片的处理 | 第50-51页 |
| ·Cu_2O 薄膜的制备 | 第51页 |
| ·MgO(110)基片上生长 Cu_2O 薄膜的表征 | 第51-63页 |
| ·原位高能反射式电子衍射(In situ RHEED)分析 | 第52-54页 |
| ·原位 X 射线光电子能谱(In situ XPS)分析 | 第54-57页 |
| ·X 射线衍射 (XRD)分析 | 第57-59页 |
| ·原子力显微镜(AFM)分析 | 第59-61页 |
| ·紫外可见吸收光谱 | 第61-63页 |
| ·本章小结 | 第63-64页 |
| 5 Cu_2O/ZnO 异质结帯阶的测量 | 第64-72页 |
| ·Cu_2O/ZnO 异质结带阶的测定方法和计算方法 | 第65-66页 |
| ·Cu_2O/ZnO 异质结样品的制备 | 第66-67页 |
| ·Cu_2O/ZnO 异质结样品的带阶测量 | 第67-71页 |
| ·本章小结 | 第71-72页 |
| 结论 | 第72-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-81页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第81页 |
