| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-26页 |
| ·引言 | 第8页 |
| ·酞菁化合物 | 第8-14页 |
| ·酞菁化合物的结构及性质 | 第8-10页 |
| ·酞菁化合物的光谱性质 | 第10-11页 |
| ·酞菁化合物的合成 | 第11-14页 |
| ·金属酞菁化合物静电自组装膜 | 第14-16页 |
| ·ESA简介 | 第14-15页 |
| ·ESA的优点 | 第15页 |
| ·ESA的基材 | 第15页 |
| ·ESA的影响因素 | 第15-16页 |
| ·酞菁化合物的电化学研究 | 第16-18页 |
| ·修饰电极的制备 | 第16-17页 |
| ·循环伏安法简介 | 第17-18页 |
| ·基本原理 | 第17页 |
| ·循环伏安法的应用 | 第17-18页 |
| ·循环伏安法的应用 | 第18页 |
| ·计时电流法简介 | 第18页 |
| ·金属酞菁修饰电极电催化研究现状 | 第18页 |
| ·酞菁化合物的光限幅研究 | 第18-21页 |
| ·非线性光学效应 | 第19页 |
| ·三阶非线性光学效应 | 第19-20页 |
| ·非线性光学材料 | 第20页 |
| ·有机三阶非线性光学材料 | 第20-21页 |
| ·非线性光学材料的测试方法及理论 | 第21-24页 |
| ·测量非线性折射率的Z-扫描理论 | 第21页 |
| ·Z-扫描方法的基本原理 | 第21-24页 |
| ·本文的立意及研究内容 | 第24-26页 |
| ·选题立意 | 第24页 |
| ·研究内容 | 第24-26页 |
| 第二章 实验部分 | 第26-29页 |
| ·实验试剂和主要仪器 | 第26-27页 |
| ·酞菁的合成 | 第27页 |
| ·ESA膜的制备 | 第27-28页 |
| ·自组装膜测试及其表征 | 第28页 |
| ·自组装多层膜三阶非线性性能测试和表征 | 第28页 |
| ·自组装多层膜修饰的电极制备及电催化性能的研究 | 第28-29页 |
| 第三章 四磺化酞菁氧钛自组装膜的制备及三阶非线性性能测试 | 第29-42页 |
| ·四磺化酞菁氧钛的制备 | 第29-32页 |
| ·4-磺酸钾基邻苯二甲酸的合成 | 第29页 |
| ·四磺化酞菁氧钛的合成 | 第29-30页 |
| ·合成产物的表征 | 第30-32页 |
| ·四磺化酞菁氧钛的自组装膜的制备及表征 | 第32-37页 |
| ·DR(重氮树脂)的制备 | 第32-33页 |
| ·四磺化酞菁氧钛静电自组装膜的制备 | 第33页 |
| ·TiOTsPc ESA膜的紫外-可见光谱分析 | 第33-36页 |
| ·四磺化酞菁氧钛静电自组装膜的原子力显微镜分析 | 第36-37页 |
| ·四磺化酞菁氧钛静电自组装膜三阶非线性性能测试及分析 | 第37-42页 |
| ·Z-扫描来测试PEI/TiOTsPc的ESA膜 | 第38-42页 |
| 第四章 四磺酸基氯代酞菁铟自组装膜的制备及三阶非线性性能测试 | 第42-51页 |
| ·四磺基氯代酞菁铟的制备 | 第42-44页 |
| ·InClTsPc的合成 | 第42-43页 |
| ·InClTsPc表征 | 第43-44页 |
| ·四磺酸基氯代酞菁铟的自组装膜的制备及表征 | 第44-48页 |
| ·InClTsPc静电自组装膜的制备 | 第44页 |
| ·InClTsPc静电自组装膜的紫外-可见光谱分析 | 第44-47页 |
| ·四磺酸基氯代酞菁铟静电自组装膜的原子力显微镜分析 | 第47-48页 |
| ·四磺酸基氯代酞菁铟静电自组装膜三阶非线性性能测试及分析 | 第48-51页 |
| ·PEI/InClTsPc静电自组装膜Z-扫描测试 | 第48-51页 |
| 第五章 四磺化酞菁氧钒自组装膜的电化学性能测试 | 第51-60页 |
| ·玻碳电极预处理 | 第51页 |
| ·氨基苯甲酸单层膜在玻碳电极上的制备 | 第51-53页 |
| ·玻碳电极表面修饰机理 | 第51-52页 |
| ·4-氨基苯甲酸单层膜在玻碳电极上的制备及其条件优化 | 第52-53页 |
| ·GCE/4-ABA/DR/VOTsPC多层膜电极的制备 | 第53-54页 |
| ·GCE/4-ABA/DR/VOTsPC多层膜电极对Na_2SO_3的电催化行为 | 第54-60页 |
| 第六章 结论 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-64页 |
