| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-20页 |
| ·Ti_3AlC_2的研究现状 | 第10-16页 |
| ·Ti_3AlC_2的结构 | 第10-11页 |
| ·Ti_3AlC_2的性能 | 第11-14页 |
| ·Ti_3AlC_2的制备 | 第14-16页 |
| ·放电等离子烧结制备 Ti_3AlC_2 | 第16-17页 |
| ·放电等离子烧结技术 | 第16-17页 |
| ·放电等离子烧结制备 Ti_3AlC_2 | 第17页 |
| ·Ti_3AlC_2的强化 | 第17-18页 |
| ·Rietveld 结构精修概述 | 第18-19页 |
| ·选题意义及研究内容 | 第19-20页 |
| 第2章 实验方案与方法 | 第20-25页 |
| ·实验原料 | 第20页 |
| ·工艺流程 | 第20-21页 |
| ·实验方案 | 第21-22页 |
| ·结构表征 | 第22-24页 |
| ·密度测量 | 第22页 |
| ·X 射线衍射分析 | 第22-23页 |
| ·扫描电镜分析 | 第23-24页 |
| ·透射电镜分析 | 第24页 |
| ·性能检测 | 第24-25页 |
| ·硬度检测 | 第24页 |
| ·压缩强度测试 | 第24页 |
| ·电导率测试 | 第24-25页 |
| 第3章 放电等离子烧结制备高纯 Ti_3AlC_2 | 第25-47页 |
| 引言 | 第25页 |
| ·原料配比对烧结产物的影响 | 第25-29页 |
| ·Al 含量对制备的影响 | 第25-27页 |
| ·C 含量对制备的影响 | 第27-29页 |
| ·烧结参数对 SPS 制备 Ti_3AlC_2的影响 | 第29-37页 |
| ·烧结温度的影响 | 第29-32页 |
| ·保温时间的影响 | 第32-34页 |
| ·烧结压力的影响 | 第34-36页 |
| ·升温速度的影响 | 第36-37页 |
| ·SPS 制备 Ti_3AlC_2的反应机理 | 第37-46页 |
| ·烧结中间相 | 第37-39页 |
| ·显微结构演变 | 第39-42页 |
| ·烧结位移曲线 | 第42-44页 |
| ·反应机理 | 第44-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 第4章 放电等离子烧结制备 Ti_3AlC_2的结构与性能 | 第47-65页 |
| 引言 | 第47页 |
| ·SPS 制备 Ti_3AlC_2的性能 | 第47-56页 |
| ·试样参数 | 第47-51页 |
| ·电导率 | 第51-53页 |
| ·硬度 | 第53-54页 |
| ·压缩强度 | 第54-56页 |
| ·SPS 制备的 Ti_3AlC_2的结构 | 第56-63页 |
| ·晶胞参数 | 第56-58页 |
| ·微观形貌 | 第58-59页 |
| ·长周期多型结构 | 第59-61页 |
| ·微量杂质相 TiC | 第61-63页 |
| ·本章小结 | 第63-65页 |
| 第5章 Ti_3AlC_2的固溶强化 | 第65-81页 |
| 引言 | 第65页 |
| ·强化固溶体 Ti_3Al_(1-x)Si_xC_2的制备 | 第65-67页 |
| ·强化固溶体 Ti_3Al_(1-x)Si_xC_2固溶机理 | 第67-73页 |
| ·XRD 分析 | 第67-69页 |
| ·SEM 分析 | 第69-71页 |
| ·固溶过程 | 第71-73页 |
| ·强化固溶体 Ti_3Al_(1-x)Si_xC_2的结构 | 第73-77页 |
| ·晶胞参数 | 第73-75页 |
| ·显微结构 | 第75-77页 |
| ·强化固溶体 Ti_3Al_(1-x)Si_xC_2的性能 | 第77-80页 |
| ·显微硬度 | 第77-78页 |
| ·压缩强度 | 第78-80页 |
| ·本章小结 | 第80-81页 |
| 结论 | 第81-83页 |
| 参考文献 | 第83-91页 |
| 攻读学位期间承担的科研任务与主要成果 | 第91-92页 |
| 致谢 | 第92-93页 |
| 作者简介 | 第93页 |
