微晶硅薄膜材料的制备及其光电特性的研究
| 中文摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-11页 |
| 第一章 引言 | 第11-17页 |
| ·太阳能电池的发展背景 | 第11-12页 |
| ·硅基薄膜电池的发展 | 第12-13页 |
| ·微晶硅薄膜材料 | 第13-15页 |
| ·微晶硅的基本特性 | 第13页 |
| ·微晶硅的制备方法 | 第13-15页 |
| ·微晶硅太阳能电池的结构 | 第15页 |
| ·本次论文研究的主要内容 | 第15-17页 |
| 第二章 RF-PECVD制备原理与材料的表征 | 第17-28页 |
| ·实验仪器的介绍 | 第17页 |
| ·沉积的基本过程与反应原理 | 第17-20页 |
| ·微晶硅生长的理论模型 | 第20-22页 |
| ·实验表征的方法 | 第22-28页 |
| ·X射线衍射谱分析 | 第22-23页 |
| ·Raman散射光谱分析 | 第23-24页 |
| ·紫外可见光分析 | 第24-26页 |
| ·傅里叶变换红外光谱分析 | 第26页 |
| ·电学性质的表征 | 第26-27页 |
| ·SEM形貌的表征分析 | 第27-28页 |
| 第三章 沉积时间对微晶硅表征的影响 | 第28-34页 |
| ·实验目的 | 第28页 |
| ·实验过程 | 第28页 |
| ·结果与讨论 | 第28-32页 |
| ·X射线衍射分析 | 第28-30页 |
| ·拉曼谱对样品晶化率的表征 | 第30-31页 |
| ·微晶硅薄膜光学带隙的测试与分析 | 第31-32页 |
| ·本章小结 | 第32-34页 |
| 第四章 等离子体射频功率对微晶硅薄膜的影响 | 第34-40页 |
| ·实验目的 | 第34页 |
| ·实验过程 | 第34页 |
| ·结果与讨论 | 第34-39页 |
| ·X射线衍射谱对样品的分析 | 第34-35页 |
| ·拉曼光谱对样品的分析 | 第35页 |
| ·红外吸收谱对样品的分析 | 第35-39页 |
| ·SEM对样品的表面结构分析 | 第39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 第五章 双沉积参数对微晶硅的生长的调配作用 | 第40-47页 |
| ·实验目的 | 第40页 |
| ·实验过程 | 第40页 |
| ·结果与讨论 | 第40-46页 |
| ·结论 | 第46-47页 |
| 第六章 硅薄膜退火的研究 | 第47-56页 |
| ·实验目的 | 第47页 |
| ·实验过程与分析 | 第47-56页 |
| 第七章 结论与展望 | 第56-58页 |
| ·实验结果 | 第56-57页 |
| ·展望 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-62页 |
| 攻读硕士期间发表和完成的论文 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63页 |
