| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-12页 |
| 目录 | 第12-14页 |
| 图目录 | 第14-17页 |
| 1 绪论 | 第17-25页 |
| ·课题来源 | 第17页 |
| ·研究背景 | 第17-22页 |
| ·产业发展要求进一步提高硅基薄膜太阳电池的性能 | 第17-18页 |
| ·当前对硅基薄膜材料沉积机理的认识尚不足 | 第18-20页 |
| ·硅基薄膜沉积过程中的等离子体诊断 | 第20-22页 |
| ·本论文的组织 | 第22-25页 |
| 2 低温等离子体及其诊断方法与理论 | 第25-49页 |
| ·低温等离子体基础 | 第25-26页 |
| ·甚高频 PECVD 在线监测系统 | 第26-28页 |
| ·低温等离子体诊断与仪器 | 第28-48页 |
| ·朗缪尔探针测量等离子体微观电学参数 | 第28-40页 |
| ·电压-电流探针测量等离子体放电参数 | 第40-46页 |
| ·四极杆质谱仪测量气体组分 | 第46-48页 |
| ·材料与电池表征 | 第48-49页 |
| 3 甚高频辉光等离子体微观电学参数的测试分析 | 第49-75页 |
| ·不同硅烷浓度时的电子温度与电子密度 | 第50-59页 |
| ·不同硅烷浓度时的等离子体电势 | 第59-69页 |
| ·对纯氢气辉光等离子体电势及其分布的测量 | 第61-65页 |
| ·硅烷浓度对等离子体电势的影响 | 第65-69页 |
| ·气体总流量对等离子体参数及其空间分布的影响 | 第69-73页 |
| ·小结 | 第73-75页 |
| 4 甚高频辉光等离子体的宏观放电参数的研究 | 第75-105页 |
| ·甚高频等离子体增强薄膜沉积系统的电抗特性研究 | 第76-86页 |
| ·系统电抗分析模型的建立 | 第76-83页 |
| ·辉光放电参数的推导计算 | 第83-86页 |
| ·系统能量利用效率的影响因素研究 | 第86-98页 |
| ·系统各部分功率消耗的测量与分析 | 第87-90页 |
| ·系统寄生电抗的分析与改进 | 第90-96页 |
| ·放电模式对系统能量利用效率的影响 | 第96-98页 |
| ·甚高频硅烷等离子体放电模式与电抗 | 第98-103页 |
| ·气压与功率的影响 | 第98-101页 |
| ·硅烷浓度的影响 | 第101-103页 |
| ·小结 | 第103-105页 |
| 5 硅基薄膜高速沉积过程中等离子体的瞬态研究 | 第105-141页 |
| ·高压高速工艺条件下的硅烷分解率的测量与分析 | 第105-113页 |
| ·高速沉积硅基薄膜过程中放电参数的瞬态变化 | 第113-119页 |
| ·高速沉积硅基薄膜过程中气体分布的瞬态变化 | 第119-129页 |
| ·后通硅烷法改善高速沉积硅基薄膜纵向结构均匀的研究 | 第129-137页 |
| ·薄膜沉积过程中放电参数的稳定性 | 第137-139页 |
| ·小结 | 第139-141页 |
| 6 结论与展望 | 第141-145页 |
| ·结论 | 第141-142页 |
| ·展望 | 第142-145页 |
| 参考文献 | 第145-154页 |
| 致谢 | 第154-155页 |
| 个人简历 | 第155-156页 |
| 在学期间发表的主要论文 | 第156-157页 |