离子迁移调控氧化钨纳米线电输运性能
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-17页 |
| ·引言 | 第9-10页 |
| ·阻变存储器 | 第10-15页 |
| ·阻变存储器的结构 | 第11-12页 |
| ·阻变存储器的阻变机制 | 第12-15页 |
| ·本文的研究意义及研究内容 | 第15-17页 |
| 第2章 基于单根三氧化钨纳米线器件的构筑 | 第17-25页 |
| ·前言 | 第17页 |
| ·水热合成三氧化钨纳米线 | 第17-19页 |
| ·实验设备与试剂 | 第17-18页 |
| ·实验方法与步骤 | 第18-19页 |
| ·结果与分析 | 第19-21页 |
| ·三氧化钨纳米线的SEM分析 | 第19-21页 |
| ·三氧化钨纳米线的XRD分析 | 第21页 |
| ·光刻构筑三氧化钨纳米器件 | 第21-24页 |
| ·器件的构筑 | 第21-23页 |
| ·电输运测试平台 | 第23-24页 |
| ·本章小结 | 第24-25页 |
| 第3章 基于单根三氧化钨纳米线的电化学器件 | 第25-31页 |
| ·前言 | 第25页 |
| ·电化学工作站及电化学掺杂 | 第25-26页 |
| ·电化学掺杂纳米线器件电输运测试 | 第26-30页 |
| ·本章小结 | 第30-31页 |
| 第4章 三氧化钨纳米线忆阻性能研究 | 第31-37页 |
| ·前言 | 第31-32页 |
| ·三氧化钨纳米线忆阻效应研究 | 第32-36页 |
| ·空气中的忆阻效应 | 第32-34页 |
| ·不同测试环境下的忆阻效应 | 第34-35页 |
| ·不同湿度下纳米线的忆阻效应 | 第35-36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 第5章 三氧化钨纳米线的水吸附研究 | 第37-42页 |
| ·前言 | 第37-38页 |
| ·水分子对三氧化钨纳米线电输运的影响 | 第38-41页 |
| ·实验结果 | 第38-40页 |
| ·理论解释 | 第40-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 第6章 总结与展望 | 第42-43页 |
| 参考文献 | 第43-51页 |
| 附录：攻读硕士学位期间论文发表情况 | 第51-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |
