CMOS压控振荡器的研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 1 绪论 | 第7-13页 |
| ·课题背景及其意义 | 第7-9页 |
| ·压控振荡器的研究现状 | 第9-11页 |
| ·本课题的主要工作 | 第11-12页 |
| ·论文的结构 | 第12-13页 |
| 2 压控振荡器的基本原理 | 第13-25页 |
| ·振荡器的基本原理 | 第13-16页 |
| ·双端口反馈系统分析法 | 第13-14页 |
| ·单端能量补偿系统分析法 | 第14页 |
| ·负阻的产生以及起振的条件 | 第14-16页 |
| ·环形振荡器 | 第16-17页 |
| ·LC振荡器 | 第17-21页 |
| ·压控振荡器的性能参数 | 第21-22页 |
| ·相位噪声 | 第22-24页 |
| ·噪声类型 | 第22-23页 |
| ·相位噪声模型 | 第23-24页 |
| ·本章小结 | 第24-25页 |
| 3 压控振荡器的设计考虑 | 第25-43页 |
| ·片上平面螺旋电感 | 第25-30页 |
| ·可变电容器 | 第30-34页 |
| ·振荡器结构的选择 | 第34-40页 |
| ·NMOS交叉耦合振荡器 | 第34-36页 |
| ·PMOS交叉耦合振荡器 | 第36-37页 |
| ·互补交叉耦合振荡器 | 第37-39页 |
| ·本节小结 | 第39-40页 |
| ·NMOS交叉耦合振荡器的分析 | 第40-42页 |
| ·NMOS交叉耦合振荡器的小信号模型 | 第40-41页 |
| ·电压幅度与工作原理 | 第41-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 4 24GHz NMOS交叉耦合振荡器的设计 | 第43-56页 |
| ·可变电容的选择 | 第43-45页 |
| ·平面螺旋电感的选择 | 第45-48页 |
| ·NMOS交叉耦合管的设计 | 第48-50页 |
| ·尾电流源电路设计 | 第50页 |
| ·仿真结果 | 第50-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 5 带缓冲级电路的低相位噪声压控振荡器的设计 | 第56-76页 |
| ·带输出缓冲级电路的VCO的设计 | 第56-66页 |
| ·采用电阻负载的共源级作为缓冲级的振荡器 | 第56-60页 |
| ·采用电感负载的共源级作为缓冲级的振荡器 | 第60-62页 |
| ·采用两级共源级作为缓冲级的振荡器 | 第62-66页 |
| ·三种具有输出缓冲级电路的VCO的比较 | 第66页 |
| ·相位噪声降低技术 | 第66-72页 |
| ·降低尾电流管1/f噪声的技术 | 第66-67页 |
| ·二次谐波谐振滤波技术 | 第67-69页 |
| ·大电容滤波技术 | 第69-70页 |
| ·感性压控端降噪技术 | 第70-71页 |
| ·源级电容耦合降噪技术 | 第71-72页 |
| ·相位噪声降低技术仿真结果 | 第72-75页 |
| ·本章小结 | 第75-76页 |
| 结论及展望 | 第76-77页 |
| 致谢 | 第77-78页 |
| 参考文献 | 第78-82页 |
| 附录 | 第82页 |
