| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-10页 |
| 致谢 | 第10-16页 |
| 第一章 绪言 | 第16-29页 |
| ·半导体纳米技术的历史与发展 | 第16-18页 |
| ·半导体纳米材料的合成 | 第18-21页 |
| ·II-VI 族半导体纳米材料的掺杂 | 第21-23页 |
| ·半导体纳米材料的应用 | 第23-27页 |
| ·纳米场效应器件 | 第23-24页 |
| ·纳米传感器 | 第24-26页 |
| ·纳米光电探测器 | 第26-27页 |
| ·课题研究背景与内容 | 第27-29页 |
| 第二章 n 型 ZnSe 纳米带的合成与表征 | 第29-39页 |
| ·合成所需要的药品和仪器设备 | 第29-32页 |
| ·合成所需的药品 | 第29页 |
| ·合成所需要的仪器设备 | 第29-32页 |
| ·n 型 ZnSe 纳米带的合成 | 第32-33页 |
| ·纳米材料的表征方法 | 第33-36页 |
| ·X 射线衍射分析 | 第33-34页 |
| ·透射电子显微镜 | 第34-35页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第35页 |
| ·电子能谱分析 | 第35-36页 |
| ·光谱分析 | 第36页 |
| ·n 型 ZnSe 纳米带微结构表征 | 第36-38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 第三章 n 型 ZnSe 纳米带的器件制备与表征 | 第39-50页 |
| ·纳米器件的制备工艺 | 第39-41页 |
| ·n 型 ZnSe 纳米带的场效应器件制备 | 第41-42页 |
| ·n 型 ZnSe 纳米场效应器件性能的研究 | 第42-44页 |
| ·掺杂浓度对电学信号的影响 | 第42-43页 |
| ·掺杂浓度对场效应的影响 | 第43-44页 |
| ·n 型 ZnSe 纳米光电探测器的研究 | 第44-47页 |
| ·n 型 ZnSe 纳米光电探测器的制备与表征 | 第44-46页 |
| ·掺杂对 ZnSe 纳米光电探测器的影响 | 第46-47页 |
| ·柔性衬底上的光电探测器的研究 | 第47-48页 |
| ·本章小结 | 第48-50页 |
| 第四章 p 型 ZnSe 纳米线的合成及表征 | 第50-52页 |
| ·p 型 ZnSe:N 纳米线的合成 | 第50页 |
| ·p 型 ZnSe:N 纳米线的表征 | 第50-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 第五章 基于 p 型 ZnSe:N 纳米线的场效应器件、异质结以及肖特基结的制备与应用 | 第52-66页 |
| ·p 型 ZnSe:N 纳米线底栅场效应器件的制备 | 第52页 |
| ·p 型 ZnSe:N 纳米线场效应器件的表征 | 第52-53页 |
| ·基于 p 型 ZnSe:N 纳米线的 pn 结、肖特基结及纳米器件应用 | 第53-64页 |
| ·p 型 ZnSe 与 n 型 Si 的异质结的制备与表征 | 第54-56页 |
| ·p 型 ZnSe 纳米线光电应用 | 第56-59页 |
| ·基于 p 型 ZnSe:N 纳米线的结型场效应晶体管（JFET） | 第59-62页 |
| ·基于 p 型 ZnSe:N 纳米线的肖特基结的制备与肖特基存储 | 第62-64页 |
| ·本章总结 | 第64-66页 |
| 第六章 总结 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-73页 |
| 攻读硕士期间发表论文情况 | 第73-74页 |
