| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| ·引言 | 第10-12页 |
| ·BTO 材料以及其介电性能 | 第12-15页 |
| ·BTO 结构介绍 | 第12-13页 |
| ·材料的介电性能 | 第13页 |
| ·平板电容结构介电常数的计算 | 第13-15页 |
| ·金属 Ni 材料概述 | 第15页 |
| ·在金属 Ni 基片上生长 BTO 薄膜的研究现状及展望 | 第15-16页 |
| ·论文选题及研究方案 | 第16-18页 |
| 第二章 高分子辅助沉积制备 BTO 薄膜及结构和性能表征 | 第18-25页 |
| ·BTO 薄膜的制备方法 | 第18页 |
| ·高分子辅助沉积法 | 第18-20页 |
| ·高分子溶液中离子浓度的测量 | 第20-21页 |
| ·薄膜微观结构的表征方法 | 第21-23页 |
| ·X 射线衍射分析(XRD) | 第21-22页 |
| ·原子力显微镜 | 第22-23页 |
| ·BTO 薄膜的性能表征方法 | 第23页 |
| ·BTO 薄膜介电性能测量 | 第23页 |
| ·BTO 薄膜 I-V 曲线测量 | 第23页 |
| ·BTO 薄膜磁电耦合的测量 | 第23页 |
| ·金属 Ni 基片表面浸润性测试 | 第23-25页 |
| 第三章 镍基片上生长 BTO 薄膜的工艺优化与介电性能 | 第25-41页 |
| ·在金属 Ni 上生长 BTO 薄膜存在的问题及解决方案 | 第25-28页 |
| ·在金属 Ni 上生长 BTO 薄膜存在的问题 | 第25-26页 |
| ·在金属 Ni 上生长 BTO 薄膜的热力学问题讨论 | 第26-28页 |
| ·高分子辅助沉积制备 BTO 薄膜 | 第28-31页 |
| ·高分子辅助沉积制备 BTO 薄膜的前驱体的制备 | 第28-29页 |
| ·镍基片的退火、抛光及氧化预处理 | 第29-30页 |
| ·高分子辅助沉积制备 BTO 薄膜的工艺 | 第30-31页 |
| ·实验结果与分析讨论 | 第31-40页 |
| ·退火气氛的选择与优化 | 第31-33页 |
| ·高分子辅助沉积制备 BTO 薄膜退火温度的优化与讨论 | 第33-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 氧化镍过渡层的厚度对 BTO 薄膜结构与性能的影响 | 第41-48页 |
| ·氧化镍过渡层的生长及实验设计 | 第41-42页 |
| ·不同厚度的氧化镍过渡层上生长的 BTO 薄膜的结构与性能 | 第42-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 第五章 退火气氛中的水蒸气对 BTO 薄膜结构与性能的影响 | 第48-57页 |
| ·水蒸气发生装置及实验样品设计 | 第48-51页 |
| ·水蒸气气氛中退火的 BTO 薄膜的结构与介电性能 | 第51-53页 |
| ·水蒸气在退火过程中对 BTO 薄膜产生的作用 | 第53-55页 |
| ·本章小结 | 第55-57页 |
| 第六章 BTO 薄膜磁电耦合性能研究 | 第57-67页 |
| ·磁电材料简介 | 第57-60页 |
| ·实验结果与分析讨论 | 第60-65页 |
| ·BTO 薄膜的铁电性能 | 第60-61页 |
| ·BTO 薄膜的 TEM 界面分析 | 第61页 |
| ·BTO 薄膜的磁电性能及氧化镍过渡层厚度对磁电性能的影响 | 第61-64页 |
| ·氧化镍过渡层对 BTO 薄膜磁电性能产生影响的原因 | 第64-65页 |
| ·本章小结 | 第65-67页 |
| 第七章 结论 | 第67-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-74页 |
| 攻读硕士期间的研究成果 | 第74-75页 |
