硅基微纳光栅耦合器件及其制备技术研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-25页 |
| ·引言 | 第9-10页 |
| ·硅基光子学 | 第10-12页 |
| ·硅基集成光路中的耦合技术 | 第12-23页 |
| ·本文的主要工作 | 第23-25页 |
| 2 硅基微纳光栅耦合理论及计算方法 | 第25-47页 |
| ·硅基SOI纳米光波导 | 第25-27页 |
| ·纳米光波导与光纤间的耦合 | 第27-34页 |
| ·光栅耦合基本理论 | 第34-37页 |
| ·解析方法 | 第37-41页 |
| ·数值方法 | 第41-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 3 二元闪耀光栅耦合器的设计 | 第47-66页 |
| ·等效介质膜理论 | 第47-50页 |
| ·二元闪耀光栅耦合器的设计 | 第50-58页 |
| ·偏振分束耦合器 | 第58-65页 |
| ·本章小结 | 第65-66页 |
| 4 硅基微纳光子器件制备技术 | 第66-94页 |
| ·典型微纳光子器件制备流程 | 第66-68页 |
| ·电子束光刻 | 第68-85页 |
| ·感应耦合等离子体(ICP)刻蚀 | 第85-93页 |
| ·本章小结 | 第93-94页 |
| 5 二元闪耀光栅耦合器的制备 | 第94-118页 |
| ·光栅耦合器制备工艺 | 第94-96页 |
| ·光栅耦合器电子束对准曝光 | 第96-99页 |
| ·电子束光刻工艺的优化 | 第99-111页 |
| ·刻蚀工艺探索及优化 | 第111-117页 |
| ·本章小结 | 第117-118页 |
| 6 新型硅基微纳光子器件的研制 | 第118-136页 |
| ·二元闪耀光栅宽带反射镜 | 第118-119页 |
| ·微环谐振腔 | 第119-122页 |
| ·环形光子晶体 | 第122-129页 |
| ·光子晶体马赫泽德调制器 | 第129-132页 |
| ·光学微盘 | 第132-134页 |
| ·其它 | 第134-135页 |
| ·本章小结 | 第135-136页 |
| 7 总结与展望 | 第136-138页 |
| ·总结 | 第136页 |
| ·未来可开展的工作 | 第136-138页 |
| 致谢 | 第138-140页 |
| 参考文献 | 第140-148页 |
| 附录1 常用电子束光刻胶参数 | 第148-151页 |
| 附录2 电子束曝光文件及说明 | 第151-154页 |
| 附录3 电子束曝光头文件及常用校正命令 | 第154-155页 |
| 附录4 常用RIE&ICP工艺参数 | 第155-157页 |
| 附录5 攻读学位期间发表论文目录 | 第157-158页 |
