| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-9页 |
| 本文的主要创新与贡献 | 第9-10页 |
| 目录 | 第10-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-33页 |
| ·材料科学与工程研究内容 | 第13-18页 |
| ·分子模拟/计算材料学在国内外的发展及其现状 | 第14-15页 |
| ·原子/电子结构与性能关联链的研究现状 | 第15-18页 |
| ·掺杂对材料性能影响的研究 | 第15-16页 |
| ·晶体结构对材料性能影响的研究 | 第16-18页 |
| ·典型硅基结构陶瓷概述 | 第18-21页 |
| ·碳化硅结构陶瓷概述 | 第18-19页 |
| ·硅基结构陶瓷的高温抗蠕变性能研究 | 第19-20页 |
| ·硅基结构陶瓷的抗氧化性研究 | 第20-21页 |
| ·本文的选题依据、研究目的、内容及技术路线 | 第21-24页 |
| ·选题依据 | 第21-22页 |
| ·研究目的 | 第22页 |
| ·研究内容 | 第22页 |
| ·技术路线 | 第22-24页 |
| 参考文献 | 第24-33页 |
| 第二章 分子模拟方法 | 第33-51页 |
| ·第一性原理计算方法 | 第33-40页 |
| ·基本概念 | 第33-35页 |
| ·密度泛函理论 | 第35-37页 |
| ·平面波赝势方法 | 第37-40页 |
| ·超软赝势 | 第37-39页 |
| ·固体中超软赝势公式 | 第39-40页 |
| ·分子轨道理论 | 第40-41页 |
| ·基本概念 | 第40-41页 |
| ·分子轨道的形成 | 第41页 |
| ·分子力学方法 | 第41-45页 |
| ·力场 | 第41-42页 |
| ·分子力学原理 | 第42-44页 |
| ·能量极小化算法 | 第44-45页 |
| ·分子动力学方法 | 第45-48页 |
| ·基本原理 | 第45-47页 |
| ·分子动力学的应用 | 第47-48页 |
| ·径向分布函数 | 第47页 |
| ·扩散系数 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-51页 |
| 第三章 多元无定形SI-B-C-N体系的原子结构特征及原子扩散行为 | 第51-69页 |
| ·无定形B-C-体系结构特征及扩散行为 | 第52-60页 |
| ·模拟细节及过程 | 第53页 |
| ·结构特征分析 | 第53-58页 |
| ·径向分布函数 (Radial Distribution Function, RDF) | 第53-56页 |
| ·配位数(Coordination Number, CN) | 第56-58页 |
| ·扩散行为分析 | 第58-60页 |
| ·小结 | 第60页 |
| ·无定形Si-B-C体系扩散行为 | 第60-64页 |
| ·模拟过程 | 第60-61页 |
| ·扩散行为分析 | 第61-64页 |
| ·小结 | 第64页 |
| ·无定形Si-B-C-N体系扩散行为分析 | 第64-66页 |
| ·本章小结 | 第66页 |
| 参考文献 | 第66-69页 |
| 第四章 掺杂对SIC结合强度及抗蠕变性影响的机理 | 第69-103页 |
| ·SiC孪晶界掺杂 | 第70-83页 |
| ·计算参数设置 | 第71页 |
| ·结构优化 | 第71-72页 |
| ·布居分析 | 第72-74页 |
| ·差分电荷密度分析 | 第74-78页 |
| ·电子态密度分析 | 第78-82页 |
| ·小结 | 第82-83页 |
| ·SiC晶胞置换掺杂 | 第83-89页 |
| ·计算参数设置 | 第83-84页 |
| ·布居分析 | 第84-85页 |
| ·差分电荷密度分析 | 第85页 |
| ·电子态密度分析 | 第85-87页 |
| ·小结 | 第87-89页 |
| ·SiC晶胞间隙掺杂 | 第89-99页 |
| ·计算参数设置 | 第89页 |
| ·结构优化 | 第89-90页 |
| ·布居分析 | 第90-92页 |
| ·差分电荷密度 | 第92-94页 |
| ·电子态密度分析 | 第94-98页 |
| ·小结 | 第98-99页 |
| ·本章小结 | 第99页 |
| 参考文献 | 第99-103页 |
| 第五章 掺杂对SIC表面吸附分子氧的影响机理 | 第103-115页 |
| ·O_2在SiC(111)(2×3)表面的吸附 | 第103-112页 |
| ·计算参数设置 | 第104页 |
| ·结构优化 | 第104-106页 |
| ·O_2分子与SiC表面相互作用分析 | 第106-108页 |
| ·布居分析 | 第108-110页 |
| ·电子态密度分析 | 第110-112页 |
| ·本章小结 | 第112-113页 |
| 参考文献 | 第113-115页 |
| 第六章 掺杂对SIC晶界抗氧化性的影响机理 | 第115-123页 |
| ·SiC孪晶界掺杂原子与氧相互作用的电子结构 | 第115-122页 |
| ·计算参数设置 | 第115页 |
| ·结构优化 | 第115-116页 |
| ·布居分析 | 第116-118页 |
| ·差分电荷密度 | 第118-119页 |
| ·电子态密度分析 | 第119-122页 |
| ·本章小结 | 第122-123页 |
| 结论 | 第123-125页 |
| 附录 攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第125-127页 |
| 致谢 | 第127-128页 |
