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硅烷直接改性环氧涂层的防护性能及其作用机制

摘要第1-13页
ABSTRACT第13-17页
第一章 绪论第17-49页
   ·涂层的防护机制及失效原因第17-19页
     ·有机涂层的防护机制第17-18页
     ·涂层的失效与涂层下金属的腐蚀第18-19页
   ·有机涂层的研究与评价方法第19-25页
     ·常规检测法第20-21页
     ·电化学评价方法第21-24页
     ·非电化学评价方法第24-25页
   ·涂层吸水的研究方法第25-29页
     ·重量法测吸水第26-27页
     ·涂层电容法测吸水第27-29页
   ·硅烷试剂在金属腐蚀控制领域的应用第29-34页
     ·硅烷化工艺作用机理第30-33页
     ·目前硅烷化工艺的研究进展第33-34页
   ·本论文的目的和意义第34-36页
 参考文献第36-49页
第二章 实验方法第49-55页
   ·有机涂料和化学试剂第49-50页
     ·有机涂料第49页
     ·化学试剂第49-50页
   ·金属基体及其表面预处理第50-51页
     ·金属基体及其化学组成第50-51页
     ·金属基体表面预处理第51页
   ·有机涂层的制备第51页
   ·实验仪器和表征方法第51-54页
     ·实验仪器第51-52页
     ·物理表征第52-53页
     ·涂层性能评价第53-54页
 参考文献第54-55页
第三章 硅烷单体共混改性环氧涂层第55-66页
   ·引言第55-56页
   ·实验内容和方法第56-57页
     ·样品制备第56页
     ·EIS测试和数据分析第56页
     ·物理表征第56-57页
   ·实验结果与讨论第57-63页
     ·涂层的吸水第57-58页
     ·涂层浸泡前后T_g的变化第58-61页
     ·涂层浸泡前后红外光谱的变化第61-62页
     ·其他硅烷掺杂的结果第62-63页
   ·本章小结第63页
 参考文献第63-66页
第四章 硅烷单体化学改性环氧涂层(一)第66-78页
   ·引言第66-67页
   ·实验内容和方法第67-68页
     ·改性环氧树脂的合成第67-68页
     ·涂层样品制备第68页
     ·EIS测试第68页
     ·Machu实验第68页
     ·物理表征第68页
   ·实验结果与讨论第68-76页
     ·反应产物的红外谱图表征第68-70页
     ·环氧涂层的吸水量第70-71页
     ·T_g测试第71-72页
     ·腐蚀性能测试第72-76页
   ·本章小结第76页
 参考文献第76-78页
第五章 硅烷单体化学改性环氧涂层(二)第78-103页
   ·引言第78页
   ·实验内容和方法第78-80页
     ·硅烷改性环氧树脂的合成第78-79页
     ·样品制备第79页
     ·EIS测试第79页
     ·Machu实验第79页
     ·沸水实验第79页
     ·物理表征第79-80页
   ·实验结果与讨论第80-99页
     ·反应产物的红外谱图表征第80-82页
     ·涂层的EIS评价结果第82-89页
     ·加速腐蚀实验的结果第89-91页
     ·不同含量 GPTMS硅烷单体改性环氧涂层的结果第91-99页
   ·本章小结第99-100页
 参考文献第100-103页
第六章 硅烷低聚体的合成及其在环氧涂层改性中的应用(一)第103-115页
   ·引言第103-104页
   ·实验内容和方法第104-105页
     ·硅烷预聚体的合成第104页
     ·硅烷预聚体的表征第104页
     ·预聚体掺杂涂层的制备第104-105页
     ·EIS测试和数据分析第105页
   ·结果与讨论第105-112页
     ·MTMS预聚体的合成与表征第105-109页
     ·MTMS预聚体掺杂环氧涂层的防蚀性能第109-112页
   ·本章小结第112页
 参考文献第112-115页
第七章 硅烷低聚体的合成及其在环氧涂层改性中的应用(二)第115-131页
   ·引言第115页
   ·实验内容和方法第115-116页
     ·硅烷预聚体的合成第115页
     ·硅烷预聚体的表征第115页
     ·预聚体掺杂涂层的制备第115-116页
     ·EIS测试和数据分析第116页
   ·结果与讨论第116-128页
     ·γ-APS预聚体的合成与表征第116-117页
     ·γ-APS预聚体掺杂环氧涂层的耐蚀性能第117-128页
     ·涂层的接触角测试第128页
   ·本章小结第128-129页
 参考文献第129-131页
结论第131-133页
附录第133-134页
致谢第134页

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