| 第一章 绪论 | 第1-23页 |
| ·半导体辐射探测器的研究概况 | 第8-16页 |
| ·半导体辐射探测器的发展历史和研究现状 | 第9-10页 |
| ·半导体辐射探测器的工作原理 | 第10-12页 |
| ·半导体辐射探测器的性能参数 | 第12-14页 |
| ·制备室温辐射半导体探测器对材料的要求 | 第14-16页 |
| ·化合物半导体辐射探测器概况 | 第16-18页 |
| ·化合物半导体材料的优势 | 第16-17页 |
| ·几种重要的室温辐射探测器材料 | 第17-18页 |
| ·碘化铅室温辐射探测器的研究现状 | 第18-19页 |
| ·本论文的主要研究内容及其意义 | 第19-20页 |
| 小结 | 第20页 |
| 参考文献 | 第20-23页 |
| 第二章 碘化铅的晶体结构及材料特性 | 第23-31页 |
| ·PbI_2的晶体结构及材料性质 | 第23-25页 |
| ·PbI_2的晶体结构 | 第23-24页 |
| ·PbI_2材料的基本性质 | 第24-25页 |
| ·多晶PbI_2薄膜对辐射的响应特性 | 第25-29页 |
| ·成像传感器对X射线的响应 | 第25-27页 |
| ·多晶PbI_2薄膜的电荷收集特性 | 第27页 |
| ·PbI_2的探测效率与分辨率 | 第27-28页 |
| ·多晶PbI_2薄膜的成像特性 | 第28-29页 |
| 小结 | 第29页 |
| 参考文献 | 第29-31页 |
| 第三章 多晶PbI_2薄膜材料的制备 | 第31-50页 |
| ·PbI_2单晶及多晶薄膜的制备方法 | 第31-38页 |
| ·PbI_2单晶的基本制备方法 | 第31-36页 |
| ·多晶PbI_2薄膜的制备方法 | 第36-38页 |
| ·水浴法制备多晶PbI_2薄膜 | 第38-42页 |
| ·水浴法简介 | 第38-39页 |
| ·水浴法制备的多晶PbI_2薄膜性能表征 | 第39-42页 |
| ·真空蒸发法制备多晶PbI_2薄膜 | 第42-48页 |
| ·真空蒸发法简介 | 第42-43页 |
| ·真空蒸发制备多晶PbI_2薄膜 | 第43-44页 |
| ·模拟计算实验条件对真空蒸发制备的多晶PbI_2薄膜成分的影响 | 第44-48页 |
| 小结 | 第48页 |
| 参考文献 | 第48-50页 |
| 第四章 多晶PbI_2薄膜的性能表征 | 第50-64页 |
| ·多晶PbI_2薄膜的结构表征 | 第50-56页 |
| ·膜料对薄膜结构的影响 | 第50-51页 |
| ·加热方式对薄膜结构的影响 | 第51-52页 |
| ·薄膜厚度对薄膜结构的影响 | 第52-53页 |
| ·衬底温度对薄膜结构的影响 | 第53-56页 |
| ·多晶PbI_2薄膜的XPS分析 | 第56-57页 |
| ·多晶PbI_2薄膜的电学特性 | 第57-59页 |
| ·伏安特性测试 | 第57-58页 |
| ·PbI_2薄膜电阻率随温度的变化关系 | 第58-59页 |
| ·多晶PbI_2薄膜的光学特性 | 第59-62页 |
| ·光电导测试 | 第59-60页 |
| ·可见-紫外吸收谱(UV-VIS)测试 | 第60-62页 |
| 小结 | 第62页 |
| 参考文献 | 第62-64页 |
| 第五章 PbI_2辐射探测器参数的蒙特卡罗模拟 | 第64-72页 |
| ·物理模型 | 第64-68页 |
| ·模拟计算结果与讨论 | 第68-70页 |
| 小结 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-72页 |
| 第六章 总结 | 第72-74页 |
| 致谢 | 第74页 |