摘要 | 第1-6页 |
ABSTRACT | 第6-10页 |
第一章 绪论 | 第10-17页 |
·国内外 BiCMOS技术的研究进展 | 第10-13页 |
·单片开关电源管理芯片的现状及发展趋势 | 第13-15页 |
·论文研究的意义 | 第15页 |
·本文研究的主要内容及论文章节安排 | 第15-17页 |
第二章 单片开关电源管理芯片的整体设计方案 | 第17-24页 |
·管理电路结构和主要组成部分的原理 | 第17-18页 |
·工艺设计方案 | 第18-19页 |
·整体电路设计 | 第19-24页 |
·管理芯片的控制方式 | 第19-20页 |
·PWM控制方式 | 第20-22页 |
·电路的整体结构设计 | 第22-24页 |
第三章 BiCMOS工艺技术与控制逻辑电路 | 第24-38页 |
·BiCMOS工艺的实现 | 第24-25页 |
·BiCMOS工艺结构 | 第25-26页 |
·CMOS/BiCMOS主要性能比较 | 第26-27页 |
·负载能力及延迟时间 | 第26-27页 |
·集成度及功耗 | 第27页 |
·单片开关电源管理芯片的BiCMOS数字逻辑部分电路设计 | 第27-38页 |
·BiCMOS反相器设计 | 第28-30页 |
·基本 BiCMOS反相器 | 第28-29页 |
·标准 BiCMOS反相器 | 第29-30页 |
·典型的BiCMOS与非门和或非门 | 第30-31页 |
·BiCMOS RS触发器 | 第31-32页 |
·全摆幅 BiCMOS逻辑门 | 第32-38页 |
·利用瞬时饱和技术实现全摆幅输出 | 第32-33页 |
·利用分流器件实现全摆幅输出 | 第33-34页 |
·自举式全摆幅BiCMOS反相器 | 第34-36页 |
·自举式 BiCMOS与非门和或非门 | 第36-38页 |
第四章 单片开关电源管理 IC功能电路的设计 | 第38-66页 |
·带隙基准电压源的设计 | 第38-42页 |
·设计思路 | 第38页 |
·基本原理 | 第38-39页 |
·能隙基准电压源电路 | 第39-42页 |
·振荡器的设计 | 第42-46页 |
·设计方案 | 第42-43页 |
·电路结构与分析 | 第43-46页 |
·并联调整器的设计 | 第46-48页 |
·设计思路 | 第46页 |
·并联调整器电路 | 第46-48页 |
·关断-重启电路 | 第48-54页 |
·设计思路 | 第48-49页 |
·关断-重启动电路 | 第49-54页 |
·PWM比较器的设计 | 第54-58页 |
·设计思路 | 第54页 |
·PWM比较电路 | 第54-58页 |
·过热保护电路的设计 | 第58-61页 |
·设计思路 | 第58页 |
·过热保护电路 | 第58-61页 |
·前沿消隐与过流保护电路 | 第61-63页 |
·设计思路 | 第61-62页 |
·前沿消隐和过流保护电路 | 第62-63页 |
·功率管的驱动电路 | 第63-66页 |
·设计思路 | 第63-64页 |
·功率开关管驱动电路 | 第64-66页 |
第五章 BiCMOS工艺技术设计 | 第66-77页 |
·0.6μm BiCMOS器件结构及其参数 | 第66-67页 |
·0.6μm BiCMOS工艺技术要点 | 第67-77页 |
·工艺流程中的制作要点 | 第67-71页 |
·晶体生长和外延 | 第67页 |
·薄膜淀积 | 第67-68页 |
·图形曝光与刻蚀 | 第68-70页 |
·杂质掺杂 | 第70-71页 |
·集成器件制作要点 | 第71-72页 |
·集成电阻 | 第71页 |
·集成电容 | 第71-72页 |
·双极型器件的形成 | 第72-74页 |
·CMOS器件的形成 | 第74-77页 |
第六章 单片开关电源管理 IC电路的仿真结果 | 第77-89页 |
·电路仿真工具简介 | 第77页 |
·器件模型参数 | 第77-81页 |
·双极型模型参数 | 第77-80页 |
·MOS管主要模型参数的选取 | 第80-81页 |
·子模块电路的仿真 | 第81-89页 |
第七章 结论与展望 | 第89-92页 |
·论文工作总结 | 第89页 |
·结论与讨论 | 第89-91页 |
·展望 | 第91-92页 |
致谢 | 第92-93页 |
参考文献 | 第93-97页 |
本文作者硕士生在研期间参加科研及论文发表情况 | 第97页 |