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基于BiCMOS的单片开关电源管理芯片

摘要第1-6页
ABSTRACT第6-10页
第一章 绪论第10-17页
   ·国内外 BiCMOS技术的研究进展第10-13页
   ·单片开关电源管理芯片的现状及发展趋势第13-15页
   ·论文研究的意义第15页
   ·本文研究的主要内容及论文章节安排第15-17页
第二章 单片开关电源管理芯片的整体设计方案第17-24页
   ·管理电路结构和主要组成部分的原理第17-18页
   ·工艺设计方案第18-19页
   ·整体电路设计第19-24页
     ·管理芯片的控制方式第19-20页
     ·PWM控制方式第20-22页
     ·电路的整体结构设计第22-24页
第三章 BiCMOS工艺技术与控制逻辑电路第24-38页
   ·BiCMOS工艺的实现第24-25页
   ·BiCMOS工艺结构第25-26页
   ·CMOS/BiCMOS主要性能比较第26-27页
     ·负载能力及延迟时间第26-27页
     ·集成度及功耗第27页
   ·单片开关电源管理芯片的BiCMOS数字逻辑部分电路设计第27-38页
     ·BiCMOS反相器设计第28-30页
       ·基本 BiCMOS反相器第28-29页
       ·标准 BiCMOS反相器第29-30页
     ·典型的BiCMOS与非门和或非门第30-31页
     ·BiCMOS RS触发器第31-32页
     ·全摆幅 BiCMOS逻辑门第32-38页
       ·利用瞬时饱和技术实现全摆幅输出第32-33页
       ·利用分流器件实现全摆幅输出第33-34页
       ·自举式全摆幅BiCMOS反相器第34-36页
       ·自举式 BiCMOS与非门和或非门第36-38页
第四章 单片开关电源管理 IC功能电路的设计第38-66页
   ·带隙基准电压源的设计第38-42页
     ·设计思路第38页
     ·基本原理第38-39页
     ·能隙基准电压源电路第39-42页
   ·振荡器的设计第42-46页
     ·设计方案第42-43页
     ·电路结构与分析第43-46页
   ·并联调整器的设计第46-48页
     ·设计思路第46页
     ·并联调整器电路第46-48页
   ·关断-重启电路第48-54页
     ·设计思路第48-49页
     ·关断-重启动电路第49-54页
   ·PWM比较器的设计第54-58页
     ·设计思路第54页
     ·PWM比较电路第54-58页
   ·过热保护电路的设计第58-61页
     ·设计思路第58页
     ·过热保护电路第58-61页
   ·前沿消隐与过流保护电路第61-63页
     ·设计思路第61-62页
     ·前沿消隐和过流保护电路第62-63页
   ·功率管的驱动电路第63-66页
     ·设计思路第63-64页
     ·功率开关管驱动电路第64-66页
第五章 BiCMOS工艺技术设计第66-77页
   ·0.6μm BiCMOS器件结构及其参数第66-67页
   ·0.6μm BiCMOS工艺技术要点第67-77页
     ·工艺流程中的制作要点第67-71页
       ·晶体生长和外延第67页
       ·薄膜淀积第67-68页
       ·图形曝光与刻蚀第68-70页
       ·杂质掺杂第70-71页
     ·集成器件制作要点第71-72页
       ·集成电阻第71页
       ·集成电容第71-72页
     ·双极型器件的形成第72-74页
     ·CMOS器件的形成第74-77页
第六章 单片开关电源管理 IC电路的仿真结果第77-89页
   ·电路仿真工具简介第77页
   ·器件模型参数第77-81页
     ·双极型模型参数第77-80页
     ·MOS管主要模型参数的选取第80-81页
   ·子模块电路的仿真第81-89页
第七章 结论与展望第89-92页
   ·论文工作总结第89页
   ·结论与讨论第89-91页
   ·展望第91-92页
致谢第92-93页
参考文献第93-97页
本文作者硕士生在研期间参加科研及论文发表情况第97页

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