| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-20页 |
| §1.1 场发射显示器(FED)简介 | 第9-11页 |
| ·场发射显示器的工作原理 | 第9-10页 |
| ·场发射显示器的发展 | 第10页 |
| ·场发射显示器与阴极射线管(CRT)的区别 | 第10-11页 |
| ·我国场发射显示器的研究 | 第11页 |
| §1.2 阴极射线发光(CL) | 第11-17页 |
| ·电子束与物质的相互作用 | 第11-13页 |
| ·阴极射线发光的产生 | 第13-15页 |
| ·阴极射线发光的应用 | 第15-17页 |
| §1.3 FED用荧光材料 | 第17-19页 |
| ·FED荧光粉(屏)的选择标准 | 第17页 |
| ·粉末荧光屏与薄膜荧光屏 | 第17-18页 |
| ·薄膜荧光屏的研究现状 | 第18-19页 |
| §1.4 本论文的主要工作 | 第19-20页 |
| 第二章 实验过程 | 第20-28页 |
| §2.1 样品制备 | 第20-21页 |
| ·固相法制备粉末样品 | 第20-21页 |
| ·电子束沉积薄膜技术及退火工艺 | 第21页 |
| §2.2 材料特性表征 | 第21-23页 |
| ·X射线衍射技术(XRD) | 第21-22页 |
| ·扫描电镜表征技术(SEM) | 第22页 |
| ·X射线光电子能谱(XPS)表征技术 | 第22-23页 |
| §2.3 发光学测量 | 第23-28页 |
| ·光致发光谱(PL)测量 | 第23-24页 |
| ·热释发光(TL)测量 | 第24-25页 |
| ·阴极射线发光(CL)测量 | 第25-28页 |
| 第三章 荧光薄膜中CL光的产生与传输的理论分析 | 第28-56页 |
| §3.1 薄膜荧光屏的发光 | 第28-30页 |
| §3.2 薄膜荧光屏发光模型的建立 | 第30-34页 |
| ·衍射散射理论 | 第30页 |
| ·基本假设及公式 | 第30-34页 |
| §3.3 荧光薄膜产生的CL光的镜面部分的传播 | 第34-42页 |
| ·以θ向上发射的光 | 第35-37页 |
| ·以θ向下发射的光的传播 | 第37-38页 |
| ·经由界面2和界面3透射回薄膜的光的强度 | 第38-39页 |
| ·从衬底透射回薄膜的镜面光的情况 | 第39-40页 |
| ·界面1空气一方和界面3空气一方的光的镜面总强度 | 第40-41页 |
| ·总的镜像部分的光强 | 第41-42页 |
| §3.4 荧光薄膜产生的CL光的漫射部分的传播 | 第42-46页 |
| ·以θ向上传播的情况 | 第42-43页 |
| ·以θ向下传播的情况 | 第43-45页 |
| ·漫射部分的总和 | 第45-46页 |
| §3.5 总CL出射光强的模拟计算 | 第46-55页 |
| ·镜面部分和漫射部分的总和 | 第46页 |
| ·初始发光强度 | 第46-48页 |
| ·参数设置 | 第48-49页 |
| ·理论模拟结果与讨论 | 第49-55页 |
| §3.6 本章结论 | 第55-56页 |
| 第四章 氧化物荧光薄膜的制备与CL发光性质 | 第56-90页 |
| §4.1 Eu激活的Y_2O_3荧光材料制备与发光性质 | 第56-68页 |
| ·Y_2O_3荧光材料的晶体结构 | 第56-58页 |
| ·Y_2O_3:Eu荧光材料的电子能级结构 | 第58-59页 |
| ·Y_2O_3:Eu荧光薄膜的结构分析 | 第59-61页 |
| ·Y_2O_3:Eu薄膜的表面组分分析 | 第61页 |
| ·Y_2O_3:Eu荧光薄膜的表面形貌 | 第61-64页 |
| ·Y_2O_3:Eu荧光薄膜的光致发光研究 | 第64-65页 |
| ·Y_2O_3:Eu荧光薄膜和粉末的阴极射线发光研究 | 第65-68页 |
| §4.2 ZnO:Zn荧光材料制备与发光性质分析 | 第68-79页 |
| ·ZnO的晶体结构与物理性质 | 第68-69页 |
| ·ZnO的能级结构 | 第69-71页 |
| ·ZnO:Zn荧光薄膜的晶体结构 | 第71-72页 |
| ·ZnO:Zn荧光薄膜的成分 | 第72页 |
| ·ZnO:Zn荧光薄膜的表面形貌 | 第72-75页 |
| ·ZnO:Zn荧光薄膜的光致发光研究 | 第75-76页 |
| ·ZnO:Zn荧光薄膜与粉末的阴极射线发光研究 | 第76-79页 |
| §4.3 Tb与Gd共激活的钇铝镓石榴石薄膜的发光性能 | 第79-89页 |
| ·YAG晶体的结构和物理特性 | 第79-80页 |
| ·YAG的能级结构 | 第80-81页 |
| ·YAGG:Tb,Gd荧光薄膜结构 | 第81-83页 |
| ·YAGG:Tb,Gd荧光薄膜的成分 | 第83-84页 |
| ·YAGG:Tb,Gd荧光薄膜的表面形貌 | 第84页 |
| ·YAGG:Tb,Gd的光致发光研究 | 第84-87页 |
| ·YAGG:Tb,Gd的阴极射线发光研究 | 第87-89页 |
| §4.4 本章结论 | 第89-90页 |
| 第五章 硫化物荧光薄膜的发光特性与光电阴极场发射显示器件的研究 | 第90-115页 |
| §5.1 Zn,Pb共激活的ZnS薄膜 | 第90-102页 |
| ·ZnS:Zn,Pb发光晶体的结构 | 第90-92页 |
| ·ZnS:Zn,Pb发光薄膜的结构与发光分析 | 第92-102页 |
| §5.2 ZnS:Zn,Pb蓝色荧光材料的发光过程 | 第102-108页 |
| ·ZnS:Zn与ZnS:Zn,Pb的发光光谱 | 第102-104页 |
| ·ZnS:Zn,Pb缺陷的热释光研究 | 第104-108页 |
| §5.3 光电阴极场发射显示器件制备与分析 | 第108-114页 |
| ·结构及原理图 | 第108-109页 |
| ·各组件的制备与性能检测 | 第109-112页 |
| ·器件性能测试 | 第112-114页 |
| §5.4 本章结论 | 第114-115页 |
| 第六章 超辐射发光二极管器件的制备与热分析研究 | 第115-135页 |
| §6.1 超辐射发光二极管 | 第115-121页 |
| ·超辐射发光二极管(SLD)的研究进展 | 第115-117页 |
| ·超辐射发光二极管(SLD)的工作原理 | 第117-119页 |
| ·量子阱结构的SLD | 第119-120页 |
| ·本章的主要工作 | 第120-121页 |
| §6.2 SLD的器件制备和性能测量 | 第121-124页 |
| ·InGaAsP/InP材料(芯片)的外延结构 | 第121-122页 |
| ·SLD器件的制备工艺流程 | 第122-124页 |
| §6.3 SLD的器件性能测量与分析 | 第124-134页 |
| ·器件的基本特性测量 | 第124-128页 |
| ·SLD热分布的理论计算 | 第128-134页 |
| §6.4 本章结论 | 第134-135页 |
| 第七章 结论 | 第135-145页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第145-147页 |
| 致谢 | 第147页 |
