| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-19页 |
| 1．1 集成平面波导器件常用的材料 | 第10-13页 |
| 1．1．1 铌酸锂晶体 | 第10-11页 |
| 1．1．2 硅基沉积二氧化硅 | 第11页 |
| 1．1．3 InGaAs／InP | 第11-12页 |
| 1．1．4 聚合物 | 第12页 |
| 1．1．5 绝缘体上的硅(SOI) | 第12-13页 |
| 1．2 SOI集成光波导器件 | 第13-19页 |
| 1．2．1 SOI多模干涉光耦合器 | 第14-16页 |
| 1．2．2 SOI波导型光功率分配器 | 第16-17页 |
| 1．2．3 本论文工作 | 第17-19页 |
| 第二章 单模SOI脊形光波导的设计与制备 | 第19-41页 |
| 2．1 SOI脊形光波导单模条件 | 第19-23页 |
| 2．1．1 SOI脊形光波导等效模型分析 | 第19-21页 |
| 2．1．2 脊形光波导的单模条件及分析 | 第21-23页 |
| 2．1．3 SOI脊形光波导的模拟 | 第23页 |
| 2．2 SOI脊形光波导的光损耗分析 | 第23-29页 |
| 2．2．1 SOI脊形光波导的耦合损耗分析 | 第24-28页 |
| 2．2．2 SOI脊形光波导的传输损耗分析 | 第28-29页 |
| 2．3 电感耦合等离子体反应离子刻蚀 | 第29-32页 |
| 2．4 SOI脊形光波导的制备 | 第32-38页 |
| 2．5 氮氧化硅薄膜的制备与测试 | 第38-40页 |
| 2．6 小结 | 第40-41页 |
| 第三章 SOI基集成光波导器件的设计与制备 | 第41-62页 |
| 3．1 1×3 SOI多模干涉耦合器的设计与制备 | 第41-49页 |
| 3．1．1 多模干涉耦合器的基本原理 | 第41-45页 |
| 3．1．2 1×3 SOI多模干涉耦合器的设计 | 第45-47页 |
| 3．1．3 1×3 SOI多模干涉耦合器的制作容差性分析 | 第47-48页 |
| 3．1．4 1×3 SOI多模干涉耦合器的制备与测试 | 第48-49页 |
| 3．2 SOI光功率分配器 | 第49-51页 |
| 3．3 附有耦合间隙的SOI树型三端光功率分配器 | 第51-57页 |
| 3．3．1 器件设计 | 第51-53页 |
| 3．3．2 模拟分析 | 第53-56页 |
| 3．3．3 制备与测试 | 第56-57页 |
| 3．4 含一个衬底微棱镜和两个波导扩大器的1×3 SOI单模均衡功率分配器 | 第57-61页 |
| 3．4．1 器件设计 | 第57-58页 |
| 3．4．2 模拟分析 | 第58-59页 |
| 3．4．3 制备与测试 | 第59-60页 |
| 3．4．4 1×3 SOI多模干涉耦合器、SOI三端光功率分配器、1×3 SOI单模均衡功率分配器的比较 | 第60-61页 |
| 3．5 小结 | 第61-62页 |
| 第四章 波导散射损耗及其降低方法 | 第62-76页 |
| 4．1 Payne和Lacey散射公式 | 第62-64页 |
| 4．2 波导表面粗糙度的测量 | 第64-69页 |
| 4．2．1 SOI脊形波导Air／Si界面的表面形貌 | 第64-65页 |
| 4．2．2 SOI脊形波导侧壁的表面形貌 | 第65-67页 |
| 4．2．2 镀增透膜后SOI脊形波导端面的表面形貌 | 第67-69页 |
| 4．3 降低表面粗糙度的方法 | 第69-74页 |
| 4．3．1 ICPRIE同步工艺和氢退火 | 第69-71页 |
| 4．3．2 ICPRIE同步工艺和热氧化处理 | 第71-74页 |
| 4．4 小结 | 第74-76页 |
| 第五章 结论 | 第76-78页 |
| 参考文献 | 第78-88页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文目录 | 第88-89页 |
| 致谢 | 第89-90页 |
| 个人简历 | 第90-91页 |
| 学位论文独创性声明 | 第91页 |
