| 第一章 绪论 | 第1-12页 |
| ·脉冲功率技术的发展 | 第5-6页 |
| ·开关在脉冲功率系统中的作用 | 第6-7页 |
| ·高重复频率开关研究的重要性 | 第7-10页 |
| ·固体开关技术的研究现状 | 第10-11页 |
| ·本课题的目的 | 第11-12页 |
| 第二章 MOSFET器件的特性介绍 | 第12-21页 |
| ·功率MOSFET器件的工作原理和基本结构 | 第12-13页 |
| ·场效应管的主要参数 | 第13-15页 |
| ·MOSFET的工作特性 | 第15-17页 |
| ·MOSFET器件动态过程 | 第17-21页 |
| 第三章 MOSFET固体开关的关键技术 | 第21-27页 |
| ·功率MOSFET开关的结构 | 第21-23页 |
| ·功率MOSFET的串联和并联使用 | 第23-24页 |
| ·功率MOSFET的驱动 | 第24-25页 |
| ·触发信号与功率回路之间的高压隔离 | 第25页 |
| ·分布电感引起的MOSFET器件过电压保护 | 第25-27页 |
| 第四章 MOSFET开关试验研究中各子电路的设计 | 第27-34页 |
| ·光纤隔离线路设计 | 第27-28页 |
| ·驱动回路参数设计 | 第28-31页 |
| ·功率回路参数设计 | 第31-32页 |
| ·瞬态过电压抑制线路的理论设计和模拟分析 | 第32-34页 |
| 第五章 MOSFET开关技术试验研究的结果分析 | 第34-48页 |
| ·MOSFET固体开关技术试验安排及测量方法 | 第34-37页 |
| ·光纤隔离线路性能测试 | 第37-39页 |
| ·驱动回路性能测试 | 第39-42页 |
| ·MOSFET开关特性的试验研究 | 第42-46页 |
| ·对MOSFET器件在直流和脉冲情况下耐压极限的测试 | 第46-48页 |
| 第六章 结论及后续工作展望 | 第48-49页 |
| 致谢 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-52页 |