| 中文摘要 | 第1-5页 |
| 英文摘要 | 第5-6页 |
| 第一章 绪言 | 第6-8页 |
| 第二章 InGaAsP／InP量子阱材料的生长、测试及器件制作工艺 | 第8-24页 |
| ·InGaAsP／InP量子阱激光器的材料、结构与特性 | 第8-11页 |
| ·材料的MOCVD生长 | 第11-17页 |
| ·材料的测试与分析 | 第17-20页 |
| ·器件制作工艺 | 第20-22页 |
| ·小结 | 第22-24页 |
| 第三章 半导体激光器的发展及其定模 | 第24-33页 |
| ·半导体激光器的发展 | 第24-27页 |
| ·半导体激光器的定模 | 第27-31页 |
| ·阈值以下的半导体激光器的定模 | 第27-28页 |
| ·双异质结半导体激光器的定模 | 第28-30页 |
| ·多模半导体激光器的定模 | 第30-31页 |
| ·小结 | 第31-33页 |
| 第四章 InGaAsP／InP量子阱激光器的模型分析 | 第33-65页 |
| ·InGaAsP／InP量子阱激光器的重要参量分析 | 第33-46页 |
| ·载流子在SCH区的输运与分布 | 第33-35页 |
| ·量子阱中的量子状态输运 | 第35-40页 |
| ·多量子阱中载流子的输运与分布 | 第40-44页 |
| ·量子阱激光器的光增益分析 | 第44-46页 |
| ·InCaAsP／InP量子阱激光器的电路模型分析 | 第46-61页 |
| ·单量子阱激光器的电路模型分析 | 第46-52页 |
| ·多量子阱激光器的电路模型分析 | 第52-56页 |
| ·InP系新型结构半导体激光器的电路模型分析 | 第56-61页 |
| ·高速量子阱激光器的设计 | 第61-62页 |
| ·小结 | 第62-65页 |
| 结论 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 硕士期间完成的论文和科研项目 | 第67-68页 |
