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硅片化学机械抛光中材料去除非均匀性研究

摘要第1-6页
Abstract第6-11页
1 绪论第11-39页
   ·集成电路发展概述第11-14页
   ·化学机械抛光技术及应用第14-17页
     ·化学机械抛光技术第14-15页
     ·化学机械抛光技术在集成电路制造中的应用第15-16页
     ·化学机械抛光技术的优点第16-17页
   ·CMP中的材料去除非均匀性及研究现状第17-37页
     ·制造下一代IC时CMP技术面临的挑战第17-19页
     ·CMP中影响材料去除非均匀性的因素第19-20页
     ·CMP中的材料去除非均匀性的理论研究第20-31页
     ·基干硅片夹持技术的硅片表面材料去除非均匀性研究第31-37页
   ·研究背景、课题来源和研究意义第37-39页
2 硅片CMP中材料去除率和材料去除非均匀性的影响因素分析第39-53页
   ·转速对材料去除非均匀性的影响分析第40-43页
   ·抛光头径向摆动参数对材料去除非均匀性的影响分析第43-44页
   ·抛光压力对材料去除非均匀性的影响分析第44-51页
     ·基于摩擦学行为的CMP中硅片与抛光垫的接触机制判别第45-47页
     ·CMP中硅片与抛光垫直接接触形态研究第47-49页
     ·CMP中硅片与抛光垫混合接触形态研究第49-51页
   ·本章小结第51-53页
3 基于保持环技术的硅片CMP接触压力分布非均匀性研究第53-71页
   ·硅片与抛光垫的接触力学模型建立第54-60页
     ·基于直接接触形态的CMP系统接触力学模型建立第54-57页
     ·接触力学模型有限元分析结果第57-60页
   ·基于混合接触形态的CMP系统接触力学模型建立第60-67页
     ·建模假设第60页
     ·二维CMP系统接触模型建立第60-61页
     ·硅片与抛光垫之间的接触应力研究第61-63页
     ·硅片与抛光垫之间的抛光液压力分布研究第63-64页
     ·抛光液压力分布数值计算方法第64-65页
     ·硅片保持环对接触应力分布及抛光液压力分布的影响分析第65-66页
     ·硅片保持环压力对硅片表面接触应力分布的影响分析第66-67页
   ·使用硅片保持环的局限性第67-69页
   ·小结第69-71页
4 采用硅片多区域背压调整方法时的CMP材料去除非均匀性第71-92页
   ·概述第71-72页
   ·CMP中硅片多区域压力控制的力学模型建立方案第72-74页
   ·硅片多区域压力控制与调整方式选择第74-76页
   ·硅片多区域压力控制的力学模型建立第76-91页
     ·基于直接接触的硅片多区域压力控制模型第77-80页
     ·基于混合接触形态的硅片多区域压力控制模型第80-91页
   ·本章小结第91-92页
5 基于硅片背部多区域压力控制的化学机械抛光试验台的搭建第92-109页
   ·硅片化学机械抛光试验台总体说明第92-94页
   ·硅片化学机械抛光试验台主要部件第94-107页
     ·化学机械抛光试验台的抛光头驱动以及抛光盘第94页
     ·硅片夹持器组件的设计第94-100页
     ·抛光载荷加载系统设计及标定第100-103页
     ·抛光液输送、搅拌及流量控制装置设计第103-105页
     ·抛光垫多区域温度测量系统设计第105-107页
   ·本章小结第107-109页
6 硅片表面材料去除非均匀性试验与结果分析第109-123页
   ·硅片化学机械抛光试验环境第109页
   ·平面度定义及检测仪器第109-112页
   ·多区域夹持器分区压力控制试验第112-114页
     ·硅片与抛光垫直接接触工况实验第112-113页
     ·硅片与抛光垫混合接触工况试验第113-114页
   ·基于先进过程控制技术的多区域压力调整方法第114-120页
     ·APC技术第114页
     ·硅片多区域压力调节夹持器的APC控制策略第114-120页
   ·抛光垫温度检测实验第120-122页
   ·本章小结第122-123页
结论第123-126页
参考文献第126-133页
攻读博士学位期间发表学术论文情况第133-134页
致谢第134-135页
作者简介第135-136页

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