第一章 引言 | 第1-10页 |
1.1 研究的背景和意义 | 第8-9页 |
1.2 本文研究的主要内容 | 第9-10页 |
第二章 综述 | 第10-23页 |
2.1 金刚石薄膜的结构、性质和用处 | 第10-15页 |
2.2 化学气相沉积金刚石薄膜研究的发展概况 | 第15-19页 |
2.3 WC-Co衬底上金刚石涂层的研究概况 | 第19-23页 |
第三章 微波等离子体化学气相沉积装置 | 第23-28页 |
3.1 2450MHz/5KW皆振腔式MPCVD装置简介 | 第23-24页 |
3.2 微波系统 | 第24-26页 |
3.3 气路系统 | 第26页 |
3.4 真空系统和检测系统 | 第26页 |
3.5 保障系统 | 第26-28页 |
第四章 WC-Co基体上MPCVD沉积金刚石薄膜的机理分析 | 第28-35页 |
4.1 化学气相沉积(CVD)原理 | 第28-33页 |
4.2 理论模型 | 第33-35页 |
第五章 WC-Co基体上MPCVD沉积金刚石薄膜的实验 | 第35-52页 |
5.1 基片预处理对金刚石成核的影响 | 第35-37页 |
5.2 钴的影响及处理方法 | 第37-39页 |
5.3 实验参数的确定 | 第39-44页 |
5.4 MPCVD沉积金刚石薄膜的实验 | 第44-45页 |
5.5 金刚石薄膜的表征 | 第45-49页 |
5.6 影响金刚石膜结合力的因素 | 第49-52页 |
结论 | 第52-54页 |
参考文献 | 第54-57页 |
致谢 | 第57-58页 |
攻读研究生期间发表的论文 | 第58页 |