| 中文摘要 | 第1-3页 |
| 英文摘要 | 第3-4页 |
| 目录 | 第4-7页 |
| 1 前言 | 第7-14页 |
| 1．1 Ⅱ-Ⅵ族固溶体半导体材料ZnS_（1-x）Te_x的研究现状 | 第7页 |
| 1．2 本论文研究内容的概述 | 第7-8页 |
| 1．3 相关理论 | 第8-14页 |
| 1．3．1 固溶体半导体 | 第8-11页 |
| 1．3．2 半导体发光 | 第11-14页 |
| 2 实验器材 | 第14-16页 |
| （1） 衬底清洗设备 | 第14页 |
| （2） 真空蒸发镀膜机及其它附属设备 | 第14-15页 |
| （3） 检测设备 | 第15页 |
| （4） 主要试剂 | 第15页 |
| （5） 衬底 | 第15-16页 |
| 3 样品制备 | 第16-22页 |
| 3．1 真空蒸发镀膜法（简称真空蒸镀） | 第16页 |
| 3．2 改造现有设备 | 第16-17页 |
| 3．2．1 电源 | 第16-17页 |
| 3．2．2 旋转样品架 | 第17页 |
| 3．3 ZnSTe薄膜的制备 | 第17-21页 |
| 3．3．1 衬底的清洗 | 第17-19页 |
| （1） 硅片的清洗 | 第17-18页 |
| （2） 载玻片（玻璃）、石英玻璃的清洗 | 第18-19页 |
| 3．3．2 蒸发源的制备 | 第19-20页 |
| （1） 钼舟的制备 | 第19页 |
| （2） 钨丝的制备 | 第19-20页 |
| 3．3．3 真空蒸发镀膜 | 第20-21页 |
| 3．4 薄膜制备过程中总结出的经验和教训 | 第21-22页 |
| 4 特性研究 | 第22-45页 |
| 4．1 形貌分析 | 第22-25页 |
| 4．1．1 检测手段（原子力显微镜AFM） | 第22-23页 |
| 4．1．2 实验结果与分析 | 第23-25页 |
| 4．2 薄膜厚度 | 第25-28页 |
| 4．2．1 检测手段（椭圆偏振测量术） | 第25-27页 |
| 4．2．2 实验结果与分析 | 第27-28页 |
| 4．3 结构分析 | 第28-32页 |
| 4．3．1 检测手段（X射线衍射） | 第28-30页 |
| 4．3．2 实验结果与分析 | 第30-32页 |
| 4．4 晶格常数的测量 | 第32-34页 |
| 4．4．1 检测方法 | 第32-33页 |
| 4．4．2 实验结果与分析 | 第33-34页 |
| 4．5 成分分析 | 第34-37页 |
| 4．5．1 检测手段（能量色散谱EDS） | 第34-35页 |
| 4．5．2 实验结果与分析 | 第35-37页 |
| 4．6 紫外吸收特性 | 第37-40页 |
| 4．6．1 检测手段 | 第37-38页 |
| 4．6．2 实验结果与分析 | 第38-40页 |
| 4．7 发光光潜（PL） | 第40-43页 |
| 4．7．1 检测手段 | 第40-41页 |
| 4．7．2 实验结果与分析 | 第41-43页 |
| 4．8 电阻率 | 第43-45页 |
| 4．8．1 检测手段（四探针测量术） | 第43-44页 |
| 4．8．2 实验结果与分析 | 第44-45页 |
| 5 结论与展望 | 第45-48页 |
| 5．1 结论 | 第45-46页 |
| 5．2 将来有待进行的工作 | 第46-48页 |
| 参考文献 | 第48-52页 |
| 致谢 | 第52页 |