| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-15页 |
| ·研究目的和意义 | 第9-10页 |
| ·纳米SiC发光的研究进展 | 第10-11页 |
| ·等离激元学的课题背景及研究进展 | 第11-14页 |
| ·本论文研究意义及所做工作 | 第14-15页 |
| 第2章 实验原理及检测技术 | 第15-22页 |
| ·实验技术 | 第15-16页 |
| ·螺旋波等离子体增强化学气相沉积(HWP-CVD)实验装置 | 第15-16页 |
| ·磁控溅射沉积实验装置 | 第16页 |
| ·衬底清洗方法 | 第16页 |
| ·薄膜形貌和结构分析技术 | 第16-18页 |
| ·傅立叶变换红外吸收谱(FTIR) | 第17页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第17-18页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第18页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第18页 |
| ·薄膜的光学特性表征技术 | 第18-22页 |
| ·紫外-可见透射反射谱(UV-VIS Transmission and Reflection) | 第18-20页 |
| ·光致发光谱(PL) | 第20-21页 |
| ·光致发光激发光谱(PLE) | 第21-22页 |
| 第3章 纳米SiC薄膜微结构及发光特性研究 | 第22-31页 |
| ·纳米SiC薄膜制备条件 | 第22页 |
| ·纳米SiC薄膜的微结构表征及光吸收特性研究 | 第22-28页 |
| ·FTIR | 第22-24页 |
| ·沉积速率 | 第24-25页 |
| ·AFM表面形貌 | 第25-26页 |
| ·XRD | 第26-27页 |
| ·光吸收特性 | 第27-28页 |
| ·发光特性研究 | 第28-29页 |
| ·本章小结 | 第29-31页 |
| 第4章 纳米银共振吸收特性研究 | 第31-37页 |
| ·金属颗粒表面等离激元共振吸收 | 第31-33页 |
| ·纳米银的制备条件 | 第33页 |
| ·纳米银的形貌及共振吸收特性 | 第33-36页 |
| ·AFM形貌表征 | 第33-35页 |
| ·吸收特性分析 | 第35-36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 第5章 纳米SiC发光的等离激元增强 | 第37-47页 |
| ·a-SiN_x绝缘层及多层膜的制备条件 | 第37-38页 |
| ·a-SiN_x绝缘层的制备条件及截面形貌表征 | 第37-38页 |
| ·多层膜的制备条件 | 第38页 |
| ·a-SiN_x厚度为30nm多层膜的结构表征与发光特性研究 | 第38-44页 |
| ·SEM截面形貌表征 | 第38-39页 |
| ·AFM形貌表征 | 第39页 |
| ·透射谱分析 | 第39-40页 |
| ·PL谱分析 | 第40-43页 |
| ·PLE谱分析 | 第43-44页 |
| ·a-SiN_x厚度对等离激元发光的影响 | 第44-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 结束语 | 第47-49页 |
| 参考文献 | 第49-53页 |
| 致谢 | 第53页 |
