摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-8页 |
第一章 绪论 | 第8-20页 |
·场发射理论 | 第10-15页 |
·碳基材料及其场发射性能 | 第15-16页 |
参考文献 | 第16-20页 |
第二章 磁过滤阴极弧等离子体技术及设备介绍 | 第20-28页 |
·等离子体简介 | 第20页 |
·阴极弧简介 | 第20-22页 |
·宏观粒子过滤装置 | 第22-24页 |
·磁过滤阴极弧等离子体沉积设备简介 | 第24-26页 |
·设备的改进 | 第26-27页 |
参考文献 | 第27-28页 |
第三章 多孔阳极氧化铝模板的制备 | 第28-47页 |
·纳米材料和纳米技术 | 第28-30页 |
·模板法组装纳米结构材料 | 第30-31页 |
·阳极氧化铝模板介绍 | 第31-35页 |
·铝阳极氧化膜的制备工艺 | 第35-36页 |
·通过实验制备氧化铝模板 | 第36-37页 |
·模板制备的实验结果与分析 | 第37-39页 |
·模板制备的改进及实验结果 | 第39-43页 |
参考文献 | 第43-47页 |
第四章 非晶碳纳米点阵列膜的制备 | 第47-61页 |
·样品的放置与实验参数 | 第47页 |
·沉积碳膜后AAO模板样品的形貌表征及结果分析 | 第47-51页 |
·对AAO模板的改进处理 | 第51-53页 |
·碳纳米点阵列膜的制备 | 第53-55页 |
·碳纳米点阵列膜的拉曼谱分析 | 第55-57页 |
·非晶碳纳米点阵列膜的场发射性能分析 | 第57-59页 |
参考文献 | 第59-61页 |
第五章 制备具有不同高度的非晶碳纳米尖点阵列膜 | 第61-70页 |
·制备扩孔深度为80nm的AAO模板及碳离子填充结果 | 第61-63页 |
·制备扩孔深度为200nm的AAO模板及碳离子填充结果 | 第63-65页 |
·制备扩孔深度为150nm具有阶梯状孔道的AAO模板 | 第65-67页 |
·制备漏斗状开口的AAO模板及碳离子填充结果 | 第67-70页 |
第六章 结论 | 第70-72页 |
研究生阶段发表的论文目录 | 第72-73页 |
致谢 | 第73页 |