中文摘要 | 第1-5页 |
英文摘要 | 第5-11页 |
1 绪论 | 第11-37页 |
·引言 | 第11-12页 |
·半导体气敏传感器的分类 | 第12-13页 |
·半导体气敏传感器的研究进展 | 第13-15页 |
·SnO_2,TiO_2 基气敏材料的研究进展 | 第15-22页 |
·SnO_2 基气敏材料的研究进展 | 第15-18页 |
·TiO_2 基气敏材料的研究进展 | 第18-22页 |
·SnO_2-TiO_2 复合气敏材料的研究进展 | 第22-24页 |
·半导体金属氧化物气敏机理的研究进展 | 第24-27页 |
·第一性原理的简述 | 第27-35页 |
·密度泛函理论的简述 | 第31-32页 |
·基于密度泛函的第一性原理的实现 | 第32-35页 |
·本论文研究的目的、意义及主要内容 | 第35-37页 |
2 气敏材料与元件的制备及气敏机理计算方法 | 第37-47页 |
·纳米粉体材料的制备与表征 | 第37-40页 |
·纳米TiO_2 掺杂Sn 离子粉体的制备 | 第37-38页 |
·纳米SnO_2 掺杂Ti 离子粉末的制备 | 第38页 |
·Ti- Sn-O_2 纳米材料的制备 | 第38-40页 |
·旁热式气敏元件的制备 | 第40-41页 |
·材料结构表征 | 第41-42页 |
·X 射线衍射仪(XRD) | 第41页 |
·扫描电子显微镜(SEM) | 第41页 |
·高分辨透射电子显微镜(HRTEM) | 第41-42页 |
·气敏性能的表征 | 第42-43页 |
·基于第一性原理研究气敏机理的方法 | 第43-45页 |
·本章小结 | 第45-47页 |
3 TiO_2掺 Sn 复合材料的制备与气敏性能 | 第47-77页 |
·引言 | 第47页 |
·Sn 掺杂TiO_2 气敏材料的结构表征 | 第47-51页 |
·X 射线衍射分析(XRD) | 第47-49页 |
·电子显微镜分析(SEM,TEM,HRTEM) | 第49-51页 |
·TiO_2 基气敏性能研究 | 第51-56页 |
·灵敏度-工作温度曲线 | 第51-53页 |
·灵敏度-气体浓度曲线 | 第53-54页 |
·响应-恢复时间曲线 | 第54-56页 |
·气敏机理的第一性原理研究 | 第56-75页 |
·气敏机理模型 | 第56-61页 |
·TiO_2 气敏机理 | 第61-68页 |
·TiO_2 掺杂Sn 气敏机理 | 第68-75页 |
·本章小结 | 第75-77页 |
4 SnO_2掺 Ti 复合材料的制备与气敏性能 | 第77-105页 |
·引言 | 第77页 |
·Ti 掺杂SnO_2 气敏材料的结构表征 | 第77-81页 |
·X 射线衍射分析(XRD) | 第77-78页 |
·电子显微镜分析(SEM,TEM, HRTEM) | 第78-81页 |
·SnO_2 基气敏性能研究 | 第81-86页 |
·灵敏度-工作温度曲线 | 第81-83页 |
·灵敏度-气体浓度曲线 | 第83-84页 |
·响应-恢复时间曲线 | 第84-86页 |
·气敏机理的第一性原理研究 | 第86-103页 |
·SnO_2 气敏机理模型 | 第86-96页 |
·SnO_2 掺杂Ti 气敏机理 | 第96-103页 |
·本章小结 | 第103-105页 |
5 Ti_(0.5)Sn_(0.5)O_2固溶材料的制备与气敏性能 | 第105-127页 |
·引言 | 第105页 |
·Ti_(0.5)Sn_(0.5)O_2 材料的结构表征 | 第105-109页 |
·X 射线衍射分析(XRD) | 第105-107页 |
·电子显微镜分析(SEM,TEM) | 第107-109页 |
·Ti_(0.5)Sn_(0.5)O_2 气敏性能研究 | 第109-114页 |
·灵敏度-工作温度曲线 | 第109-110页 |
·灵敏度-气体浓度曲线 | 第110-112页 |
·响应-恢复时间曲线 | 第112-114页 |
·Ti_(0.5)Sn_(0.5)O_2 气敏机理的第一性原理研究 | 第114-125页 |
·Ti_(0.5)Sn_(0.5)O_2 模型的建立 | 第114-124页 |
·Ti_(0.5)Sn_(0.5)O_2 表面电子性能 | 第124页 |
·Ti_(0.5)Sn_(0.5)O_2 表面氧吸附性能 | 第124-125页 |
·本章小结 | 第125-127页 |
6 结论与展望 | 第127-131页 |
·主要结论 | 第127-129页 |
·后续工作展望 | 第129-131页 |
致谢 | 第131-133页 |
参考文献 | 第133-147页 |
附录 | 第147-148页 |