| 内容提要 | 第1-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-18页 |
| ·纳米材料的基本概念和内涵 | 第8-9页 |
| ·纳米材料的基本特性 | 第9-10页 |
| ·纳米结构研究的进展和趋势 | 第10-11页 |
| ·半导体纳米材料 | 第11-13页 |
| ·纳米材料的制备方法 | 第13-17页 |
| ·喷雾法 | 第13-14页 |
| ·溶胶—凝胶法 | 第14-15页 |
| ·沉淀法 | 第15-16页 |
| ·模板法 | 第16页 |
| ·气相法 | 第16-17页 |
| ·选题背景及意义 | 第17-18页 |
| 第二章 近邻界条件下PbSe 纳米线的制备与表征 | 第18-28页 |
| ·近临界条件下 PbSe 纳米线的合成与表征 | 第18-19页 |
| ·近临界条件 | 第18-19页 |
| ·实验装置和实验试剂 | 第19页 |
| ·实验过程与结果 | 第19-27页 |
| ·一般情况下得到的产物及表征 | 第19-21页 |
| ·近临界条件提高成核密度 | 第21-22页 |
| ·近临界条件下合成 PbSe 纳米线 | 第22-25页 |
| ·反应过程讨论 | 第25-27页 |
| ·本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 近邻界条件下PbxSey制备与表征 | 第28-36页 |
| ·生成物的腐蚀现象 | 第28-29页 |
| ·近临界条件下 PbxSey纳米晶的制备与表征 | 第29-35页 |
| ·实验内容与结果 | 第29-31页 |
| ·样品的表征 | 第31-33页 |
| ·过程分析 | 第33-35页 |
| ·本章小结 | 第35-36页 |
| 第四章 不同浓度下纳米晶的制备与表征 | 第36-43页 |
| ·改变硒溶液的浓度 | 第36-38页 |
| ·改变乙酸铅的浓度 | 第38-41页 |
| ·结果分析 | 第41-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 第五章 不同条件下其它不同形貌的纳米晶的制备与表征 | 第43-52页 |
| ·纳米线的制备与表征 | 第43-48页 |
| ·样品的制备 | 第43-44页 |
| ·样品表征 | 第44-46页 |
| ·结果分析 | 第46-48页 |
| ·槽状样品的制备与表征 | 第48-49页 |
| ·空洞状样品和花状样品的制备与表征 | 第49-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 第六章 结论 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-59页 |
| 摘要 | 第59-61页 |
| Abstract | 第61-63页 |
| 致谢 | 第63页 |