| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-26页 |
| ·引言 | 第14页 |
| ·场发射阵列阴极的结构原理及发展历程 | 第14-16页 |
| ·场发射阵列阴极的结构原理 | 第15页 |
| ·场发射阵列阴极的发展历程 | 第15-16页 |
| ·场发射阵列阴极的应用 | 第16-21页 |
| ·场发射平板显示器 | 第17-19页 |
| ·场发射行波管 | 第19-20页 |
| ·场发射传感器 | 第20-21页 |
| ·场发射阵列阴极的研究现状 | 第21-24页 |
| ·尖锥型场发射阵列阴极的研究现状 | 第22-23页 |
| ·平面薄膜型场发射阵列阴极的研究现状 | 第23-24页 |
| ·课题研究意义 | 第24-25页 |
| ·本论文的主要工作 | 第25-26页 |
| 第二章 场致发射理论及六硼化镧材料特性 | 第26-42页 |
| ·场致发射机理及特点 | 第26-30页 |
| ·金属场致发射 | 第26-29页 |
| ·半导体场致发射 | 第29-30页 |
| ·FEA的结构优化 | 第30-33页 |
| ·尖锥型场发射体的品质参量 | 第30-32页 |
| ·尖锥型场发射体的热稳定性分析 | 第32-33页 |
| ·FEA的材料选择标准 | 第33-35页 |
| ·六硼化镧的材料特性 | 第35-42页 |
| ·六硼化镧的结构和性质 | 第35-37页 |
| ·六硼化镧阴极的发展历程 | 第37-39页 |
| ·六硼化镧阴极的应用现状 | 第39-42页 |
| 第三章 单晶LaB_6场发射阵列阴极的理论设计 | 第42-61页 |
| ·引言 | 第42页 |
| ·单晶LaB_6场发射阵列阴极的晶向选择 | 第42-45页 |
| ·单晶LaB_6场发射阵列阴极的结构设计 | 第45-59页 |
| ·数值模拟计算理论 | 第45-52页 |
| ·LaB_6场发射阵列阴极模拟计算方法 | 第52-54页 |
| ·LaB_6场发射阵列阴极模拟计算结果 | 第54-57页 |
| ·LaB_6场发射阵列阴极的结构优化 | 第57-59页 |
| ·单晶LaB_6-FEA的制备工艺流程设计 | 第59页 |
| ·本章小节 | 第59-61页 |
| 第四章 单晶LaB_6场发射阵列的制备与表征——氮化硅掩膜沉积 | 第61-82页 |
| ·引言 | 第61页 |
| ·单晶LaB_6基片的前期处理 | 第61-65页 |
| ·单晶LaB_6基片的表面抛磨 | 第61-63页 |
| ·单晶LaB_6基片的清洗 | 第63-65页 |
| ·单晶LaB_6-FEA的掩膜制备与表征 | 第65-79页 |
| ·单晶LaB_6-FEA掩膜材料的选择 | 第65-67页 |
| ·氮化硅掩膜的PECVD沉积方法 | 第67页 |
| ·实验 | 第67-72页 |
| ·实验结果与分析 | 第72-79页 |
| ·本章小结 | 第79-82页 |
| 第五章 单晶LaB_6场发射阵列的制备与表征——掩膜图案化 | 第82-90页 |
| ·引言 | 第82-84页 |
| ·光刻工艺概述 | 第82-83页 |
| ·刻蚀工艺概述 | 第83-84页 |
| ·实验 | 第84-87页 |
| ·仪器和试剂 | 第84-85页 |
| ·工艺流程 | 第85-87页 |
| ·实验中所遇问题的分析与讨论 | 第87-89页 |
| ·涂胶工艺 | 第87-88页 |
| ·曝光工艺 | 第88-89页 |
| ·本章小结 | 第89-90页 |
| 第六章 单晶LaB6场发射阵列的制备与表征——LaB6发射体刻蚀 | 第90-125页 |
| ·引言 | 第90页 |
| ·单晶LaB_6-FEA的湿法腐蚀工艺研究 | 第90-96页 |
| ·研究背景 | 第90页 |
| ·实验 | 第90-93页 |
| ·实验结果与分析 | 第93-96页 |
| ·结论 | 第96页 |
| ·单晶LaB_6-FEA的干法刻蚀工艺研究 | 第96-103页 |
| ·研究背景及气体放电理论 | 第96-98页 |
| ·实验 | 第98-100页 |
| ·实验结果与分析 | 第100-103页 |
| ·结论 | 第103页 |
| ·单晶LaB_6-FEA的氧等离子体氧化与湿法腐蚀结合工艺研究 | 第103-108页 |
| ·研究背景 | 第103页 |
| ·实验 | 第103-105页 |
| ·实验结果与分析 | 第105-108页 |
| ·结论 | 第108页 |
| ·单晶LaB_6-FEA的电化学腐蚀工艺研究 | 第108-121页 |
| ·电化学腐蚀原理概述 | 第108-110页 |
| ·实验 | 第110-114页 |
| ·实验结果与分析 | 第114-120页 |
| ·结论 | 第120-121页 |
| ·单晶LaB_6-FEA的氧化削尖工艺研究 | 第121-123页 |
| ·研究背景 | 第121页 |
| ·实验 | 第121-122页 |
| ·实验结果与分析 | 第122-123页 |
| ·本章小结 | 第123-125页 |
| 第七章 单晶LaB_6场发射阵列阴极的性能测试及表征 | 第125-133页 |
| ·引言 | 第125页 |
| ·实验 | 第125-129页 |
| ·测试对象 | 第125页 |
| ·测试系统及评价参数 | 第125-128页 |
| ·测试装置的清洁及除气工艺 | 第128-129页 |
| ·实验结果与分析 | 第129-131页 |
| ·阴极I-V特性 | 第129-130页 |
| ·阴极F-N曲线 | 第130页 |
| ·阴极场发射电流稳定性 | 第130-131页 |
| ·阴极抗中毒能力特性 | 第131页 |
| ·本章小节 | 第131-133页 |
| 第八章 结论与展望 | 第133-135页 |
| ·结论 | 第133-134页 |
| ·展望 | 第134-135页 |
| 致谢 | 第135-136页 |
| 参考文献 | 第136-147页 |
| 博士在学期间的研究成果 | 第147页 |
