| 内容摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章 引言 | 第10-14页 |
| §1.1 φ-映射拓扑流理论 | 第10-11页 |
| §1.2 δ((?)(x))的展开 | 第11-14页 |
| 第二章 带电荷的两分量玻色爱因斯坦系统中的磁单极分岔理论 | 第14-26页 |
| §2.1 磁单极激发 | 第15-17页 |
| §2.2 磁单极的产生和湮灭 | 第17-18页 |
| §2.3 磁单极的分岔 | 第18-22页 |
| §2.4 磁单极在二阶退化点的分岔 | 第22-23页 |
| §2.5 结论 | 第23-26页 |
| 第三章 Chern-Simons(CS)p-膜的分支过程 | 第26-36页 |
| §3.1 CS p-膜的拓扑张量流和它的内部拓扑结构 | 第26-29页 |
| §3.2 CS p-膜的分支过程 | 第29-35页 |
| §3.2.1 临界点的分支过程 | 第30页 |
| §3.2.2 分岔点的分支过程 | 第30-33页 |
| §3.2.3 高阶退化点的分支过程 | 第33-35页 |
| §3.3 结论 | 第35-36页 |
| 第四章 在AFZ模型中的扭结的孤立子 | 第36-44页 |
| §4.1 在AFZ模型中的拓扑的孤立子 | 第36-38页 |
| §4.2 扭结孤立子的拓扑协变 | 第38-40页 |
| §4.3 作用量I在扭结孤立子分支过程中的守恒 | 第40-43页 |
| §4.4 结论 | 第43-44页 |
| 第五章 总结 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-48页 |
| 发表文章 | 第48-50页 |
| 致谢 | 第50页 |
