摘要 | 第3-5页 |
abstract | 第5-6页 |
第1章 绪论 | 第10-26页 |
1.1 前言 | 第10-13页 |
1.1.1 太阳能光伏产业的发展 | 第10-11页 |
1.1.2 铸造多晶的发展现状 | 第11-12页 |
1.1.3 铸造多晶的发展趋势 | 第12-13页 |
1.2 铸造多晶硅晶体生长炉的特点及工艺 | 第13-17页 |
1.2.1 铸造多晶硅晶体生长炉的特点 | 第13-15页 |
1.2.2 铸造多晶硅晶体生长炉的工艺 | 第15-17页 |
1.3 少子寿命的测试及红区的影响 | 第17-21页 |
1.3.1 少子寿命的测试 | 第17-20页 |
1.3.2 红区的影响 | 第20-21页 |
1.4 铸造多晶硅锭红区的相关研究 | 第21-24页 |
1.4.1 国内研究综述 | 第22页 |
1.4.2 国外研究综述 | 第22-24页 |
1.5 本课题研究的目的与内容 | 第24-26页 |
第2章 铸造多晶硅锭中氧杂质对红区形成的影响的研究 | 第26-42页 |
2.1 前言 | 第26-29页 |
2.1.1 铸造多晶硅锭中氧的行为 | 第26-28页 |
2.1.2 铸造多晶硅锭中氧对少子寿命的影响 | 第28-29页 |
2.2 实验材料、设备与过程 | 第29-35页 |
2.2.1 实验材料 | 第29页 |
2.2.2 实验设备 | 第29-34页 |
2.2.2.1 电感耦合等离子体质谱仪(ICP-MS) | 第30-31页 |
2.2.2.2 光致发光测试仪(PL) | 第31-32页 |
2.2.2.3 傅里叶变换红外光谱仪(FTIR) | 第32-34页 |
2.2.3 实验过程 | 第34-35页 |
2.3 实验结果与讨论 | 第35-41页 |
2.3.1 多晶硅中氧分布与红区的关联 | 第35-37页 |
2.3.2 多晶硅中氧浓度与红区的关系 | 第37-41页 |
2.4 本章小结 | 第41-42页 |
第3章 铸造多晶硅锭中金属杂质对红区形成的影响的研究 | 第42-51页 |
3.1 前言 | 第42-45页 |
3.1.1 铸造多晶硅锭中金属的行为 | 第42-44页 |
3.1.2 铸造多晶硅锭中金属对少子寿命的影响 | 第44-45页 |
3.2 实验材料、设备与过程 | 第45-46页 |
3.2.1 实验材料 | 第45页 |
3.2.2 实验设备 | 第45-46页 |
3.2.3 实验过程 | 第46页 |
3.3 实验结果与讨论 | 第46-50页 |
3.3.1 多晶硅中金属与红区的关联 | 第46-49页 |
3.3.2 多晶硅中金属浓度与少子寿命的关系 | 第49-50页 |
3.4 本章小结 | 第50-51页 |
第4章 铸造多晶硅中红区鼓包性质与形成条件研究 | 第51-60页 |
4.1 前言 | 第51页 |
4.2 多晶硅中红区鼓包的表现形式 | 第51-54页 |
4.3 红区鼓包的形成研究 | 第54-59页 |
4.3.1 实验材料、设备与过程 | 第54-55页 |
4.3.2 实验结果与讨论 | 第55-59页 |
4.4 本章小结 | 第59-60页 |
第5章 结论与展望 | 第60-62页 |
5.1 研究结论与应用成果 | 第60-61页 |
5.1.1 研究结论 | 第60-61页 |
5.1.2 应用成果 | 第61页 |
5.2 展望 | 第61-62页 |
致谢 | 第62-63页 |
参考文献 | 第63-67页 |
攻读学位期间的研究成果 | 第67页 |