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多晶硅锭红区的形成与控制研究

摘要第3-5页
abstract第5-6页
第1章 绪论第10-26页
    1.1 前言第10-13页
        1.1.1 太阳能光伏产业的发展第10-11页
        1.1.2 铸造多晶的发展现状第11-12页
        1.1.3 铸造多晶的发展趋势第12-13页
    1.2 铸造多晶硅晶体生长炉的特点及工艺第13-17页
        1.2.1 铸造多晶硅晶体生长炉的特点第13-15页
        1.2.2 铸造多晶硅晶体生长炉的工艺第15-17页
    1.3 少子寿命的测试及红区的影响第17-21页
        1.3.1 少子寿命的测试第17-20页
        1.3.2 红区的影响第20-21页
    1.4 铸造多晶硅锭红区的相关研究第21-24页
        1.4.1 国内研究综述第22页
        1.4.2 国外研究综述第22-24页
    1.5 本课题研究的目的与内容第24-26页
第2章 铸造多晶硅锭中氧杂质对红区形成的影响的研究第26-42页
    2.1 前言第26-29页
        2.1.1 铸造多晶硅锭中氧的行为第26-28页
        2.1.2 铸造多晶硅锭中氧对少子寿命的影响第28-29页
    2.2 实验材料、设备与过程第29-35页
        2.2.1 实验材料第29页
        2.2.2 实验设备第29-34页
            2.2.2.1 电感耦合等离子体质谱仪(ICP-MS)第30-31页
            2.2.2.2 光致发光测试仪(PL)第31-32页
            2.2.2.3 傅里叶变换红外光谱仪(FTIR)第32-34页
        2.2.3 实验过程第34-35页
    2.3 实验结果与讨论第35-41页
        2.3.1 多晶硅中氧分布与红区的关联第35-37页
        2.3.2 多晶硅中氧浓度与红区的关系第37-41页
    2.4 本章小结第41-42页
第3章 铸造多晶硅锭中金属杂质对红区形成的影响的研究第42-51页
    3.1 前言第42-45页
        3.1.1 铸造多晶硅锭中金属的行为第42-44页
        3.1.2 铸造多晶硅锭中金属对少子寿命的影响第44-45页
    3.2 实验材料、设备与过程第45-46页
        3.2.1 实验材料第45页
        3.2.2 实验设备第45-46页
        3.2.3 实验过程第46页
    3.3 实验结果与讨论第46-50页
        3.3.1 多晶硅中金属与红区的关联第46-49页
        3.3.2 多晶硅中金属浓度与少子寿命的关系第49-50页
    3.4 本章小结第50-51页
第4章 铸造多晶硅中红区鼓包性质与形成条件研究第51-60页
    4.1 前言第51页
    4.2 多晶硅中红区鼓包的表现形式第51-54页
    4.3 红区鼓包的形成研究第54-59页
        4.3.1 实验材料、设备与过程第54-55页
        4.3.2 实验结果与讨论第55-59页
    4.4 本章小结第59-60页
第5章 结论与展望第60-62页
    5.1 研究结论与应用成果第60-61页
        5.1.1 研究结论第60-61页
        5.1.2 应用成果第61页
    5.2 展望第61-62页
致谢第62-63页
参考文献第63-67页
攻读学位期间的研究成果第67页

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