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基于不对称性的相变存储器性能优化研究

摘要第4-6页
Abstract第6-7页
1 绪论第10-33页
    1.1 引言第10-13页
    1.2 PCM研究背景介绍第13-16页
    1.3 PCM性能优化技术研究现状第16-29页
    1.4 本文的主要研究内容和组织结构第29-33页
2 基于写入数据类型不对称性的SLC PCM写优化技术第33-57页
    2.1 基于写入数据类型不对称性的写优化技术研究动机第33-39页
    2.2 基于写入数据类型不对称性的写优化策略设计与实现第39-47页
    2.3 Min-WU实验评估第47-55页
    2.4 本章小结第55-57页
3 基于写入功耗不对称性的SLC PCM写优化技术第57-74页
    3.1 基于写入功耗不对称性的写优化技术研究动机第57-60页
    3.2 基于写入功耗不对称性的写优化策略设计与实现第60-66页
    3.3 MaxPB实验评估第66-73页
    3.4 本章小结第73-74页
4 基于写入数据数目不对称性的SLC PCM写优化技术第74-92页
    4.1 基于写入数据数目不对称性的写优化技术研究动机第74-76页
    4.2 基于写入数据数目不对称性的写优化策略设计与实现第76-84页
    4.3 Tetris Write性能评价第84-91页
    4.4 本章小结第91-92页
5 基于写操作数据分布不对称性的MLC PCM写优化技术第92-112页
    5.1 基于写操作数据分布不对称性的写优化技术研究动机第92-97页
    5.2 基于写操作数据分布不对称性的写优化策略设计与实现第97-105页
    5.3 PCM-2R性能评价第105-110页
    5.4 本章小结第110-112页
6 全文总结与展望第112-117页
    6.1 本文主要成果第112-115页
    6.2 未来研究展望第115-117页
致谢第117-119页
参考文献第119-133页
附录1 攻读博士学位期间发表的学术论文目录第133-135页
附录2 攻读博士学位期间申请的发明专利和其他成果第135-136页
附录3 攻读博士学位期间参与的科研项目第136-137页

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