| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-32页 |
| ·前言 | 第12页 |
| ·CVD对前驱物的要求 | 第12-13页 |
| ·一价铜前驱物的合成与发展 | 第13-31页 |
| ·CuX_n型前驱物 | 第13-14页 |
| ·XCuL_n型前驱物 | 第14-28页 |
| ·(Cyclopentadienyl)Cu(Ⅰ)L前驱物 | 第15-16页 |
| ·(β-Diketonate)Cu(Ⅰ)L_n前驱物 | 第16-25页 |
| ·(β-Ketoesterate)Cu(Ⅰ)L前驱物 | 第25-26页 |
| ·(β-Ketoiminato)Cu(Ⅰ)L前驱物 | 第26-27页 |
| ·附加基团稳定的一价铜前驱物 | 第27-28页 |
| ·多核一价铜前驱物 | 第28-30页 |
| ·其他一价铜前驱物 | 第30-31页 |
| ·本论文的工作 | 第31-32页 |
| 第二章 一价铜CVD前驱物的合成 | 第32-48页 |
| ·CVD前驱物合成装置 | 第32-37页 |
| ·无水无氧操作系统 | 第32-34页 |
| ·溶剂预处理系统 | 第34页 |
| ·CVD前驱物合成系统 | 第34-37页 |
| ·CVD前驱物合成实验药品与材料 | 第37-38页 |
| ·CVD前驱物的合成 | 第38-48页 |
| ·CVD前驱物合成原理 | 第38-39页 |
| ·CVD前驱物合成反应 | 第39-40页 |
| ·CVD前驱物合成步骤框图 | 第40-42页 |
| ·一价铜前驱物的合成 | 第42-48页 |
| ·乙酰乙酸乙酯钠盐的合成 | 第42页 |
| ·(etac)Cu(Ⅰ)(P(O-nBt)_3)_2的合成 | 第42-43页 |
| ·(etac)Cu(Ⅰ)(P(OCH(CH_3)_2)_3)_2的合成 | 第43页 |
| ·酰乙酸甲酯钠盐的合成 | 第43-44页 |
| ·(mtac)Cu(Ⅰ)(P(O-nBt)_3)_2的合成 | 第44页 |
| ·(mtac)Cu(Ⅰ)(P(OCH(CH_3)_2)_3)_2的合成 | 第44-45页 |
| ·乙酰乙酸叔丁酯钠盐的合成 | 第45页 |
| ·(btac)Cu(Ⅰ)(P(O-nBt)_3)_2的合成 | 第45-46页 |
| ·(btac)Cu(Ⅰ)(P(OCH(CH_3)_2)_3)_2的合成 | 第46-48页 |
| 第三章 一价铜CVD前驱物的表征与分析 | 第48-67页 |
| ·分析仪器 | 第48页 |
| ·CVD前驱物的表征与分析 | 第48-66页 |
| ·(etac)Cu(Ⅰ)(P(O-nBt)_3)_2的表征与分析 | 第48-51页 |
| ·(etac)Cu(Ⅰ)(P(OCH(CH_3)_2)_3)_2的表征与分析 | 第51-54页 |
| ·(mtac)Cu(Ⅰ)(P(O-nBt)_3)_2的表征与分析 | 第54-57页 |
| ·(mtac)Cu(Ⅰ)(P(OCH(CH_3)_2)_3)_2的表征与分析 | 第57-60页 |
| ·(btac)Cu(Ⅰ)(P(O-nBt)_3)_2的表征与分析 | 第60-63页 |
| ·(btac)Cu(Ⅰ)(P(OCH(CH_3)_2)_3)_2的表征与分析 | 第63-66页 |
| ·本章小结 | 第66-67页 |
| 第四章 铜薄膜化学气相沉积 | 第67-83页 |
| ·实验准备 | 第67-70页 |
| ·实验药品与材料 | 第67页 |
| ·实验仪器 | 第67-70页 |
| ·分析仪器 | 第70页 |
| ·实验步骤 | 第70-72页 |
| ·基材处理 | 第70页 |
| ·CVD铜薄膜操作步骤 | 第70-71页 |
| ·反应条件 | 第71-72页 |
| ·结果与讨论 | 第72-82页 |
| ·P(O-nBt)_3配位的前驱物化学气相沉积 | 第72-75页 |
| ·P(OCH(CH_3)_2)_3配位的前驱物化学气相沉积 | 第75-78页 |
| ·沉积铜薄膜的特点 | 第78-82页 |
| ·本章小结 | 第82-83页 |
| 第五章 总结与展望 | 第83-85页 |
| 参考文献 | 第85-91页 |
| 附录一 | 第91-94页 |
| 附录二 | 第94-98页 |
| 硕士期间成果 | 第98-99页 |
| 致谢 | 第99页 |
