| 致谢 | 第1-6页 |
| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-10页 |
| 目录 | 第10-13页 |
| 第一章 前言 | 第13-15页 |
| 第二章 文献综述 | 第15-34页 |
| ·太阳电池概况 | 第15-26页 |
| ·发展太阳电池的意义 | 第15-17页 |
| ·太阳电池的工作原理和性能指标 | 第17-20页 |
| ·太阳电池的种类及应用 | 第20-24页 |
| ·发展CIS薄膜太阳电池的意义 | 第24-26页 |
| ·CIS薄膜太阳电池的研究进展 | 第26-32页 |
| ·国内外CIS太阳电池研究现状 | 第26页 |
| ·CIS的晶体结构与材料性能 | 第26-28页 |
| ·CIS薄膜的制备方法 | 第28-31页 |
| ·CIS薄膜太阳电池的结构 | 第31-32页 |
| ·电沉积法制备CIS薄膜的原理 | 第32-33页 |
| ·一步电沉积法制备CIS薄膜的原理 | 第32-33页 |
| ·两步电沉积法制备CIS薄膜的原理 | 第33页 |
| ·本论文的研究目的和内容 | 第33-34页 |
| 第三章 实验部分与设备 | 第34-38页 |
| ·实验设计 | 第34-35页 |
| ·一步电沉积CuInS_2薄膜 | 第34-35页 |
| ·一步电沉积CuInSe_2薄膜 | 第35页 |
| ·实验设备 | 第35-36页 |
| ·电化学沉积设备 | 第35-36页 |
| ·管式炉热处理设备 | 第36页 |
| ·快速热处理设备 | 第36页 |
| ·测试设备 | 第36-38页 |
| ·扫描电子显微镜和能谱仪 | 第36页 |
| ·X射线衍射仪 | 第36-37页 |
| ·可见光吸收谱仪 | 第37页 |
| ·霍尔测试设备 | 第37页 |
| ·太阳光模拟测试设备 | 第37-38页 |
| 第四章 一步电沉积CuInS_2薄膜 | 第38-66页 |
| ·引言 | 第38页 |
| ·实验 | 第38-39页 |
| ·结果与讨论 | 第39-64页 |
| ·沉积电位对薄膜的影响 | 第39-42页 |
| ·衬底对CuInS_2薄膜表面形貌的影响 | 第42-44页 |
| ·电解液体系对CuInS_2薄膜的影响 | 第44-54页 |
| ·一步电沉积制备CuInS_2先驱体薄膜的生长过程 | 第54-55页 |
| ·热处理对CuInS_2薄膜的影响 | 第55-60页 |
| ·KCN处理对CuInS_2薄膜的影响 | 第60-61页 |
| ·CuInS_2薄膜太阳电池原型器件的制备 | 第61-64页 |
| ·结论 | 第64-66页 |
| 第五章 一步电沉积CuInSe_2薄膜 | 第66-76页 |
| ·引言 | 第66页 |
| ·实验 | 第66-67页 |
| ·实验结果与讨论 | 第67-74页 |
| ·沉积电位和衬底对CuInSe_2薄膜的影响 | 第67-71页 |
| ·热处理对CuInSe_2薄膜的影响 | 第71-74页 |
| ·结论 | 第74-76页 |
| 第六章结论 | 第76-78页 |
| 参考文献 | 第78-85页 |
| 附录:攻读硕士期间发表的论文及申请专利 | 第85页 |