| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-21页 |
| 1.1 引言 | 第10-13页 |
| 1.2 InGaAs/InPPIN光电探测器(PIN-PD)研究发展 | 第13-14页 |
| 1.3 InGaAs/InPUTC光电探测器(UTC-PD)研究发展 | 第14-17页 |
| 1.4 分子束外延(MBE)设备 | 第17-19页 |
| 1.4.1 MBE生长腔室 | 第18页 |
| 1.4.2 MBEInGaAs/InP生长过程 | 第18-19页 |
| 1.5 本论文的结构安排 | 第19-21页 |
| 第二章 Zn扩散工艺 | 第21-31页 |
| 2.1 Zn扩散理论研究 | 第21-22页 |
| 2.2 Zn扩散实验的设计 | 第22页 |
| 2.3 Zn扩散实验过程 | 第22-23页 |
| 2.4 实验结果与分析 | 第23-29页 |
| 2.4.1 霍尔测量 | 第23-24页 |
| 2.4.2 光致发光和表面形貌分析 | 第24-27页 |
| 2.4.3 退火工艺对Zn扩散的影响 | 第27-29页 |
| 2.5 本章小结 | 第29-31页 |
| 第三章 InGaAs欧姆接触 | 第31-45页 |
| 3.1 欧姆接触的基本理论 | 第31-32页 |
| 3.2 比接触电阻率的测试方法 | 第32-34页 |
| 3.2.1 圆点型传输线模型(DotCTLM) | 第32-34页 |
| 3.3 InGaAs欧姆接触研究进展 | 第34-35页 |
| 3.4 InGaAs欧姆接触制备工艺 | 第35-40页 |
| 3.4.1 欧姆接触实验设计方案 | 第35-36页 |
| 3.4.1.1 InGaAs材料载流子浓度和金属体系 | 第35页 |
| 3.4.1.2 快速热退火 | 第35-36页 |
| 3.4.2 欧姆接触制备工艺流程 | 第36-40页 |
| 3.5 欧姆接触实验结果及分析 | 第40-44页 |
| 3.6 本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章 InGaAs/InPPIN光电探测器的研制 | 第45-59页 |
| 4.1 半导体光电探测器 | 第45页 |
| 4.2 半导体光电探测器性能的基本参数 | 第45-47页 |
| 4.2.1 外量子效率和响应度 | 第45-46页 |
| 4.2.2 响应速度 | 第46页 |
| 4.2.3 探测率 | 第46-47页 |
| 4.2.4 信噪比 | 第47页 |
| 4.3 InGaAs/InPPIN光电探测器 | 第47-57页 |
| 4.3.1 InGaAs/InPPIN光电探测器的器件结构与工艺 | 第47-51页 |
| 4.3.2 InGaAs/InPPIN光电探测器性能表征 | 第51-57页 |
| 4.4 本章小结 | 第57-59页 |
| 第五章 InGaAs/InPUTC光电探测器的研制 | 第59-69页 |
| 5.1 UTC光电探测器 | 第59-61页 |
| 5.2 InGaAs/InPUTC-PD仿真分析 | 第61-64页 |
| 5.3 InGaAs/InPUTC-PD的制备 | 第64-65页 |
| 5.4 InGaAs/InPUTC-PD的实验结果 | 第65-67页 |
| 5.5 文章小结 | 第67-69页 |
| 第六章 结论 | 第69-72页 |
| 参考文献 | 第72-80页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第80-82页 |
| 致谢 | 第82-83页 |
