摘要 | 第2-3页 |
Abstract | 第3-4页 |
1 绪论 | 第7-23页 |
1.1 立题背景 | 第7-8页 |
1.2 化学法制备高纯多晶硅 | 第8-10页 |
1.2.1 三氯氢硅还原法 | 第8-9页 |
1.2.2 SiH_4热分解法 | 第9-10页 |
1.2.3 其他方法 | 第10页 |
1.3 冶金法制备太阳能级多晶硅 | 第10-14页 |
1.3.1 造渣精炼 | 第10-12页 |
1.3.2 定向凝固 | 第12-13页 |
1.3.3 真空熔炼 | 第13-14页 |
1.3.4 其他提纯工艺 | 第14页 |
1.4 合金凝固精炼法 | 第14-19页 |
1.4.1 合金凝固精炼原理 | 第14-16页 |
1.4.2 合金熔剂的选择 | 第16页 |
1.4.3 初晶硅的分离 | 第16-17页 |
1.4.4 合金凝固精炼法的目前研究现状 | 第17-19页 |
1.5 区域熔炼技术 | 第19-21页 |
1.6 本论文研究目的及主要内容 | 第21-23页 |
1.6.1 研究意义 | 第21-22页 |
1.6.2 主要内容 | 第22-23页 |
2 实验 | 第23-27页 |
2.1 实验原料 | 第23页 |
2.2 实验设备 | 第23-25页 |
2.2.1 超音频感应熔炼炉 | 第23-24页 |
2.2.2 立式内推高温炉 | 第24-25页 |
2.3 实验工艺 | 第25-26页 |
2.3.1 样品的制备 | 第25页 |
2.3.2 校温 | 第25-26页 |
2.3.3 实验过程 | 第26页 |
2.4 实验分析设备 | 第26-27页 |
3 温度梯度区域熔炼法生长块体硅 | 第27-37页 |
3.1 温度梯度区域熔炼生长块体硅原理 | 第27-30页 |
3.2 Si-Al合金中块体硅的定向生长 | 第30-34页 |
3.3 块体硅的生长条件 | 第34-36页 |
3.4 本章小结 | 第36-37页 |
4 温度梯度区域熔炼生长块体硅的机制及影响因素 | 第37-51页 |
4.1 影响块体硅生长速率的因素 | 第37-40页 |
4.2 合金熔体内溶质的传输机制 | 第40-43页 |
4.3 保温时间及热处理方式块体硅生长形貌的影响 | 第43-46页 |
4.4 杂质的分布及块体硅中影响杂质含量的因素 | 第46-49页 |
4.5 本章小结 | 第49-51页 |
结论 | 第51-53页 |
参考文献 | 第53-57页 |
附录 A TGZM法在Si-Al合金中生长块体硅的样品数据及实验结果 | 第57-58页 |
攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第58-59页 |
致谢 | 第59-61页 |