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Si-Al合金中初晶硅与共晶组织分离调控机制研究

摘要第2-3页
Abstract第3-4页
1 绪论第7-23页
    1.1 立题背景第7-8页
    1.2 化学法制备高纯多晶硅第8-10页
        1.2.1 三氯氢硅还原法第8-9页
        1.2.2 SiH_4热分解法第9-10页
        1.2.3 其他方法第10页
    1.3 冶金法制备太阳能级多晶硅第10-14页
        1.3.1 造渣精炼第10-12页
        1.3.2 定向凝固第12-13页
        1.3.3 真空熔炼第13-14页
        1.3.4 其他提纯工艺第14页
    1.4 合金凝固精炼法第14-19页
        1.4.1 合金凝固精炼原理第14-16页
        1.4.2 合金熔剂的选择第16页
        1.4.3 初晶硅的分离第16-17页
        1.4.4 合金凝固精炼法的目前研究现状第17-19页
    1.5 区域熔炼技术第19-21页
    1.6 本论文研究目的及主要内容第21-23页
        1.6.1 研究意义第21-22页
        1.6.2 主要内容第22-23页
2 实验第23-27页
    2.1 实验原料第23页
    2.2 实验设备第23-25页
        2.2.1 超音频感应熔炼炉第23-24页
        2.2.2 立式内推高温炉第24-25页
    2.3 实验工艺第25-26页
        2.3.1 样品的制备第25页
        2.3.2 校温第25-26页
        2.3.3 实验过程第26页
    2.4 实验分析设备第26-27页
3 温度梯度区域熔炼法生长块体硅第27-37页
    3.1 温度梯度区域熔炼生长块体硅原理第27-30页
    3.2 Si-Al合金中块体硅的定向生长第30-34页
    3.3 块体硅的生长条件第34-36页
    3.4 本章小结第36-37页
4 温度梯度区域熔炼生长块体硅的机制及影响因素第37-51页
    4.1 影响块体硅生长速率的因素第37-40页
    4.2 合金熔体内溶质的传输机制第40-43页
    4.3 保温时间及热处理方式块体硅生长形貌的影响第43-46页
    4.4 杂质的分布及块体硅中影响杂质含量的因素第46-49页
    4.5 本章小结第49-51页
结论第51-53页
参考文献第53-57页
附录 A TGZM法在Si-Al合金中生长块体硅的样品数据及实验结果第57-58页
攻读硕士学位期间发表学术论文情况第58-59页
致谢第59-61页

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