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拓扑绝缘体纳米器件自旋输运性质的研究

摘要第3-5页
Abstract第5-7页
1 绪论第10-25页
    1.1 拓扑绝缘体发展的历史背景第10-13页
        1.1.1 整数量子霍尔效应第10-11页
        1.1.2 从自旋霍尔效应到量子自旋霍尔效应与Z2拓扑结构第11-13页
    1.2 拓扑绝缘体第13-19页
        1.2.1 二维拓扑绝缘体第13-15页
        1.2.2 三维拓扑绝缘体第15-19页
    1.3 拓扑超导体第19-24页
    1.4 本章小结第24-25页
2 格点格林函数方法第25-50页
    2.1 封闭体系的定态薛定谔方程及紧束缚哈密顿第25-33页
        2.1.1 定态薛定谔方程第25页
        2.1.2 一维体系紧束缚格点化的哈密顿及其能量色散关系第25-27页
        2.1.3 二维体系紧束缚格点化哈密顿及其能量色散关系第27-29页
        2.1.4 存在自旋轨道耦合的二维正方体系格点化的哈密顿第29-31页
        2.1.5 量子反常霍尔绝缘体哈密顿的格点化第31-33页
    2.2 开放体系所满足的薛定谔方程第33-38页
        2.2.1 连接左电极的开放体系第33-36页
        2.2.2 左右均连接电极的通道第36-38页
    2.3 格林函数第38-40页
    2.4 与格林函数相关的几个重要的物理量第40-44页
        2.4.1 态密度与谱函数第40-41页
        2.4.2 密度矩阵与电子数第41-43页
        2.4.3 展宽函数第43-44页
    2.5 谱函数、关联函数、展宽与开放体系薛定谔方程之间的关系第44-45页
    2.6 量子输运中的电流与透射系数第45-48页
    2.7 本章小结第48-50页
3 无序对HgTe/CdTe异质节体态自旋霍尔电导的影响第50-60页
    3.1 引言第50-52页
    3.2 模型与理论第52-54页
    3.3 结果与分析第54-58页
    3.4 结论第58-59页
    3.5 本章小结第59-60页
4 二维拓扑超导异质结中的隧穿磁电阻第60-72页
    4.1 引言第60-61页
    4.2 模型与理论第61-63页
    4.3 结果与分析第63-70页
    4.4 结论第70-71页
    4.5 本章小结第71-72页
5 Anderson无序引起的平庸拓扑超导体中的拓扑量子相变第72-84页
    5.1 引言第72-74页
    5.2 模型与理论第74-76页
    5.3 数值计算结果和讨论第76-82页
    5.4 结论第82页
    5.5 小结第82-84页
结论第84-86页
参考文献第86-100页
致谢第100-101页
攻读学位期间取得的科研成果清单第101页

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