摘要 | 第4-5页 |
ABSTRACT | 第5-6页 |
创新点 | 第7-12页 |
第1章 绪论 | 第12-22页 |
1.1 课题来源 | 第12页 |
1.2 课题的研究意义与目的 | 第12-13页 |
1.3 常用无损检测技术及其特点 | 第13-15页 |
1.3.1 渗透检测方法 | 第13页 |
1.3.2 射线检测方法 | 第13-14页 |
1.3.3 超声检测方法 | 第14页 |
1.3.4 磁粉检测方法 | 第14页 |
1.3.5 涡流检测方法 | 第14-15页 |
1.4 交流电磁场检测技术的研究现状 | 第15-17页 |
1.4.1 概述 | 第15页 |
1.4.2 不同形式磁场激励下的缺陷附近磁场分布研究 | 第15-16页 |
1.4.3 缺陷附近电磁特性数值模拟研究 | 第16页 |
1.4.4 缺陷定量化检测及缺陷反演方法研究 | 第16-17页 |
1.4.5 ACFM探头设计 | 第17页 |
1.5 涡流激励热成像检测技术的研究现状 | 第17-19页 |
1.5.1 概述 | 第17-18页 |
1.5.2 涡流激励热成像检测系统的开发 | 第18页 |
1.5.3 基于不同激励方式的涡流激励热成像技术研究 | 第18页 |
1.5.4 热图像处理方法研究 | 第18-19页 |
1.5.5 复合材料的检测方法研究 | 第19页 |
1.6 复合式无损检测技术的研究现状 | 第19-20页 |
1.7 研究存在的不足之处 | 第20页 |
1.8 本文的研究内容 | 第20-22页 |
第2章 涡流激励条件下缺陷处磁场和温度场分布规律研究 | 第22-39页 |
2.1 引言 | 第22页 |
2.2 检测原理简介 | 第22-24页 |
2.3 理论基础 | 第24-28页 |
2.3.1 麦克斯韦方程组 | 第24-25页 |
2.3.2 缺陷附近磁场分布的数学模型 | 第25-26页 |
2.3.3 缺陷附近温度场分布的数学模型 | 第26-28页 |
2.4 有限元计算模型 | 第28-37页 |
2.4.1 有限元软件简介 | 第28-29页 |
2.4.2 建模过程 | 第29-32页 |
2.4.3 计算结果分析 | 第32-37页 |
2.5 本章小结 | 第37-39页 |
第3章 复合检测技术实验平台开发 | 第39-53页 |
3.1 引言 | 第39页 |
3.2 复合检测技术实验平台概述 | 第39-40页 |
3.3 激励器装置的设计 | 第40-49页 |
3.3.1 设计要求 | 第40页 |
3.3.2 激励器的构成 | 第40-42页 |
3.3.3 激励效果分析 | 第42-45页 |
3.3.4 激励器提离高度的确定 | 第45-46页 |
3.3.5 激励器扫描方案的确定 | 第46-49页 |
3.4 其他实验设备 | 第49-52页 |
3.4.1 激励系统 | 第49-50页 |
3.4.2 水冷系统 | 第50页 |
3.4.3 热像仪 | 第50页 |
3.4.4 磁场传感器 | 第50-52页 |
3.4.5 导轨及其控制设备 | 第52页 |
3.5 本章小结 | 第52-53页 |
第4章 基于磁场信号的缺陷检测方法研究 | 第53-65页 |
4.1 引言 | 第53页 |
4.2 待测材料 | 第53-54页 |
4.3 数据预处理 | 第54-61页 |
4.3.1 一维小波降噪 | 第55-58页 |
4.3.2 小波降噪结果 | 第58-59页 |
4.3.3 数据平滑处理 | 第59-61页 |
4.4 基于磁场信号曲线形态的缺陷识别与定位方法 | 第61-64页 |
4.4.1 缺陷处磁场信号的曲线形态特征 | 第61页 |
4.4.2 基于一阶差分法的极值点的确定 | 第61-62页 |
4.4.3 缺陷的识别与定位 | 第62-64页 |
4.5 本章小结 | 第64-65页 |
第5章 基于温度场的缺陷检测方法研究 | 第65-87页 |
5.1 引言 | 第65页 |
5.2 涡流激励热成像静态检测模式中缺陷附近温度分布特征 | 第65-73页 |
5.2.1 涡流激励热成像静态检测模式 | 第65-67页 |
5.2.2 静态检测模式下缺陷附近温度分布特征 | 第67-73页 |
5.3 涡流激励热成像移动检测模式中缺陷附近温度分布特征 | 第73-85页 |
5.3.1 涡流激励热成像移动检测模式 | 第73-74页 |
5.3.2 移动检测模式的热图像处理方法 | 第74-76页 |
5.3.3 线扫描方法中最佳扫描线位置的确定 | 第76-80页 |
5.3.4 线扫描方法分辨率的确定 | 第80-81页 |
5.3.5 基于温度梯度特性的缺陷定位方法 | 第81-85页 |
5.4 本章小结 | 第85-87页 |
第6章 表面发射率不均影响的抑制方法研究 | 第87-102页 |
6.1 引言 | 第87-88页 |
6.2 表面发射率不均对热像仪温度测量的影响 | 第88-89页 |
6.3 表面发射率不均影响抑制方法的提出 | 第89页 |
6.4 基于温度梯度特性的表面发射率不均影响的抑制方法 | 第89-94页 |
6.4.1 方法简介 | 第89-90页 |
6.4.2 实验对象 | 第90-92页 |
6.4.3 结果与讨论 | 第92-94页 |
6.5 基于小波变换的发射率不均影响的抑制方法 | 第94-101页 |
6.5.1 方法简介 | 第94-96页 |
6.5.2 实验对象 | 第96-97页 |
6.5.3 结果与讨论 | 第97-101页 |
6.6 本章小结 | 第101-102页 |
第7章 基于磁场和温度场的缺陷轮廓重构技术研究 | 第102-116页 |
7.1 引言 | 第102页 |
7.2 基于磁场信号的缺陷深度反演 | 第102-111页 |
7.2.1 广义回归神经网络 | 第102-104页 |
7.2.2 基于两级广义回归神经网络的缺陷深度反演 | 第104-111页 |
7.3 基于温度场的缺陷开口大小的确定 | 第111-115页 |
7.3.1 边缘检测算子 | 第111-114页 |
7.3.2 边缘检测算子的效果对比 | 第114-115页 |
7.3.3 边缘检测结果的校正 | 第115页 |
7.4 本章小结 | 第115-116页 |
第8章 结论与展望 | 第116-118页 |
8.1 主要结论 | 第116页 |
8.2 研究展望 | 第116-118页 |
参考文献 | 第118-126页 |
致谢 | 第126-127页 |
个人简历、在学期间发表的学术论文及研究成果 | 第127-129页 |
学位论文数据集 | 第129页 |