| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-20页 |
| 1.1 选题背景及意义 | 第8-10页 |
| 1.2 国内外研究进展 | 第10-18页 |
| 1.2.1 表面钝化技术研究进展 | 第10-14页 |
| 1.2.2 纳米颗粒修饰研究进展 | 第14-18页 |
| 1.3 本论文主要研究内容 | 第18-20页 |
| 第二章 表面态与表面修饰方法 | 第20-29页 |
| 2.1 表面态对GaAs材料光学性质的影响 | 第20-22页 |
| 2.2 硫钝化原理 | 第22-25页 |
| 2.3 纳米颗粒修饰原理 | 第25-27页 |
| 2.4 本章小结 | 第27-29页 |
| 第三章 GaAs薄膜的表面修饰及性质研究 | 第29-44页 |
| 3.1 硫钝化GaAs薄膜及性质研究 | 第29-35页 |
| 3.1.1 硫钝化实验过程 | 第29-30页 |
| 3.1.2 室温PL测试及分析 | 第30-31页 |
| 3.1.3 低温PL测试及分析 | 第31-35页 |
| 3.2 GaAs薄膜表面制备Sb_2S_3纳米颗粒及性质研究 | 第35-43页 |
| 3.2.1 制备Sb_2S_3纳米颗粒的实验过程 | 第35-36页 |
| 3.2.2 Sb_2S_3纳米颗粒组成成分测试 | 第36-38页 |
| 3.2.3 PLmapping测试 | 第38页 |
| 3.2.4 室温PL测试及分析 | 第38-40页 |
| 3.2.5 低温PL测试及分析 | 第40-43页 |
| 3.3 本章小结 | 第43-44页 |
| 第四章 GaAs纳米线的表面修饰及性质研究 | 第44-54页 |
| 4.1 GaAs纳米线的外延生长及表面形貌测试 | 第44-49页 |
| 4.1.1 MBE外延生长GaAs纳米线 | 第44-45页 |
| 4.1.2 GaAs纳米线的表面形貌测试 | 第45页 |
| 4.1.3 GaAs纳米线的低温PL测试 | 第45-49页 |
| 4.2 GaAs纳米线上制备Sb_2S_3纳米颗粒及PL测试 | 第49-53页 |
| 4.2.1 制备Sb_2S_3纳米颗粒的实验过程 | 第49-50页 |
| 4.2.2 制备Sb_2S_3纳米颗粒后GaAs纳米线的表面形貌测试 | 第50-51页 |
| 4.2.3 低温PL测试及分析 | 第51-53页 |
| 4.4 本章小结 | 第53-54页 |
| 第五章 结论与展望 | 第54-56页 |
| 5.1 结论 | 第54-55页 |
| 5.2 展望 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-63页 |
| 硕士期间论文发表情况 | 第63页 |
